過度使用互聯(lián)網(wǎng)者的腦電特征分析.pdf

1、近年來由于互聯(lián)網(wǎng)的飛速發(fā)展，給人們的生活、生產(chǎn)帶來了很大的便利，但是與此同時由于很多青少年過度的使用互聯(lián)網(wǎng)，使他們的身心健康受到了嚴(yán)重的損害，給社會和家庭造成了很大的影響。但是現(xiàn)在對于過度使用互聯(lián)網(wǎng)的診斷僅僅以心理測評的方法進(jìn)行，其治療也都采用心理疏導(dǎo)和藥物干預(yù)的方法，并沒有一個客觀的生理上的診斷指標(biāo)。而任何成癮類問題其本質(zhì)是一種腦疾病，因此，本文采用腦電的方法來研究這個問題，通過研究過度使用互聯(lián)網(wǎng)者的腦電特征，為過度使用互聯(lián)網(wǎng)者的診斷

2、和治療提供理論依據(jù)和客觀指標(biāo)。本文從以下5個方面研究了過度使用互聯(lián)網(wǎng)者的腦電特征：
　　 1.應(yīng)用了單個漢字結(jié)尾筆畫非匹配實驗研究了過度使用互聯(lián)網(wǎng)對事件相關(guān)電位N400的影響。結(jié)果發(fā)現(xiàn)當(dāng)單個漢字結(jié)尾筆畫非匹配時，過度使用互聯(lián)網(wǎng)患者所誘發(fā)出的N400與正常受試者所誘發(fā)出的N400相比較，潛伏期明顯提前(P＜0.05)，波幅也明顯降低(P＜0.05)，并且在對照組中所產(chǎn)生的N400其在大腦上的分布要比實驗組中所產(chǎn)生的N400更加廣泛

3、，這表明過度使用互聯(lián)網(wǎng)者與正常受試者的事件相關(guān)電位N400存在著顯著性的差異。結(jié)果提示了過度使用互聯(lián)網(wǎng)對受試者的大腦語義處理能力造成了影響。
　　 2.研究了過度使用互聯(lián)網(wǎng)對短時記憶力的影響。本文通過研究過度使用互聯(lián)網(wǎng)者與正常受試者的短時記憶力的差異，結(jié)果發(fā)現(xiàn)過度使用互聯(lián)網(wǎng)者的短時記憶力明顯的低于正常人，并且通過分析兩種受試者在進(jìn)行記憶時的事件相關(guān)電位的差異，發(fā)現(xiàn)過度使用互聯(lián)網(wǎng)者的前額葉電極位置上出現(xiàn)了特異的波形，而前額葉正是大

4、腦負(fù)責(zé)記憶力的區(qū)域，因此進(jìn)一步證實了過度使用互聯(lián)網(wǎng)對受試者的短時記憶能力造成了影響。
　　 3.應(yīng)用小波熵和復(fù)雜度的方法研究過度使用互聯(lián)網(wǎng)對腦電復(fù)雜性的影響。結(jié)果發(fā)現(xiàn)過度使用互聯(lián)網(wǎng)者上網(wǎng)前的自發(fā)腦電的小波熵值和復(fù)雜度值都明顯低于正常人上網(wǎng)前的自發(fā)腦電小波熵值和復(fù)雜度值(P＜0.05)，但上網(wǎng)40分鐘后，其腦電小波熵值和復(fù)雜度值明顯地升高(P＜0.05)，恢復(fù)到了正常人相當(dāng)?shù)乃健?br>　　 4.研究了過度使用互聯(lián)網(wǎng)對腦電時頻

5、特性的影響。首先通過經(jīng)典的oddball刺激實驗研究過度使用互聯(lián)網(wǎng)對于時域信息事件相關(guān)電位P300的影響，結(jié)果發(fā)現(xiàn)過度使用互聯(lián)網(wǎng)導(dǎo)致P300的波幅降低，潛伏期延長，此結(jié)果說明過度使用互聯(lián)網(wǎng)對大腦的反映能力和記憶能力造成了負(fù)性影響。然后我們對EEG進(jìn)行連續(xù)小波變換，提取時頻信息，計算ERP的ERSP值，再對ERSP值進(jìn)行ANOVA檢驗，最后對F檢驗值進(jìn)行NMF分解，從NMF分解的結(jié)果我們可以看出過度使用互聯(lián)網(wǎng)對于腦電的時頻信息的影響主要發(fā)

6、生在300ms，頻率范圍從40-50Hz，在大腦的中央項部，對大腦的gamma節(jié)律同步效應(yīng)以及gamma振蕩的強(qiáng)弱造成了影響。
　　 5.研究了過度使用互聯(lián)網(wǎng)對事件相關(guān)電位gamma節(jié)律同步效應(yīng)的具體影響。本文應(yīng)用短時傅立葉變換的方法對實驗組和對照組在oddball刺激實驗和單個漢字結(jié)尾筆畫非匹配實驗中的事件相關(guān)電位gamma節(jié)律進(jìn)行時頻分析，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在兩個實驗中對于正常受試者，gamma節(jié)律的活動與事件相關(guān)電位的N200、P3