固體物理試題庫(kù)匯總

1、一、名詞解釋1.晶態(tài)晶態(tài)固體材料中的原子有規(guī)律的周期性排列，或稱為長(zhǎng)程有序。2.非晶態(tài)非晶態(tài)固體材料中的原子不是長(zhǎng)程有序地排列，但在幾個(gè)原子的范圍內(nèi)保持著有序性，或稱為短程有序。3.3.準(zhǔn)晶準(zhǔn)晶準(zhǔn)晶態(tài)是介于晶態(tài)和非晶態(tài)之間的固體材料，其特點(diǎn)是原子有序排列，但不具有平移準(zhǔn)晶態(tài)是介于晶態(tài)和非晶態(tài)之間的固體材料，其特點(diǎn)是原子有序排列，但不具有平移周期性。周期性。4.單晶整塊晶體內(nèi)原子排列的規(guī)律完全一致的晶體稱為單晶體。5.多晶由許多取向不同的

2、單晶體顆粒無(wú)規(guī)則堆積而成的固體材料。6.6.理想晶體（完整晶體）理想晶體（完整晶體）內(nèi)在結(jié)構(gòu)完全規(guī)則的固體，由全同的結(jié)構(gòu)單元在空間無(wú)限重復(fù)排列內(nèi)在結(jié)構(gòu)完全規(guī)則的固體，由全同的結(jié)構(gòu)單元在空間無(wú)限重復(fù)排列而構(gòu)成。而構(gòu)成。7.7.空間點(diǎn)陣（布喇菲點(diǎn)陣）空間點(diǎn)陣（布喇菲點(diǎn)陣）晶體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可以概括為是由一些相同的點(diǎn)子在空間有規(guī)則地晶體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可以概括為是由一些相同的點(diǎn)子在空間有規(guī)則地做周期性無(wú)限重復(fù)排列，這些點(diǎn)子的總體稱為空間點(diǎn)陣。8.節(jié)點(diǎn)（

3、陣點(diǎn)）空間點(diǎn)陣的點(diǎn)子代表著晶體結(jié)構(gòu)中的相同位置，稱為節(jié)點(diǎn)（陣點(diǎn)）。9.9.點(diǎn)陣常數(shù)（晶格常數(shù)）點(diǎn)陣常數(shù)（晶格常數(shù)）慣用元胞棱邊的長(zhǎng)度。慣用元胞棱邊的長(zhǎng)度。10.晶面指數(shù)—描寫布喇菲點(diǎn)陣中晶面方位的一組互質(zhì)整數(shù)。11.11.配位數(shù)配位數(shù)—晶體中和某一原子相鄰的原子數(shù)。晶體中和某一原子相鄰的原子數(shù)。12.致密度—晶胞內(nèi)原子所占的體積和晶胞體積之比。13.原子的電負(fù)性—原子得失價(jià)電子能力的度量；電負(fù)性＝常數(shù)（電離能＋親和能）14.14.肖特基

4、缺陷肖特基缺陷—晶體內(nèi)格點(diǎn)原子擴(kuò)散到表面，體內(nèi)留下空位。晶體內(nèi)格點(diǎn)原子擴(kuò)散到表面，體內(nèi)留下空位。15.15.費(fèi)侖克爾缺陷費(fèi)侖克爾缺陷晶體內(nèi)格點(diǎn)原子擴(kuò)散到間隙位置，形成空位－填隙原子對(duì)。晶體內(nèi)格點(diǎn)原子擴(kuò)散到間隙位置，形成空位－填隙原子對(duì)。16.16.色心色心晶體內(nèi)能夠吸收可見光的點(diǎn)缺陷。晶體內(nèi)能夠吸收可見光的點(diǎn)缺陷。17.F心離子晶體中一個(gè)負(fù)離子空位，束縛一個(gè)電子形成的點(diǎn)缺陷。18.V心離子晶體中一個(gè)正離子空位，束縛一個(gè)空穴形成的點(diǎn)缺陷。

5、19.19.近鄰近似近鄰近似在晶格振動(dòng)中，只考慮最近鄰的原子間的相互作用。在晶格振動(dòng)中，只考慮最近鄰的原子間的相互作用。20.Einsten20.Einsten模型模型在晶格振動(dòng)中，假設(shè)所有原子獨(dú)立地以相同頻率在晶格振動(dòng)中，假設(shè)所有原子獨(dú)立地以相同頻率?E振動(dòng)。振動(dòng)。21.Debye21.Debye模型模型在晶格振動(dòng)中，假設(shè)晶體為各向同性連續(xù)彈性媒質(zhì)在晶格振動(dòng)中，假設(shè)晶體為各向同性連續(xù)彈性媒質(zhì)晶體中只有晶體中只有3支聲學(xué)波，且支聲學(xué)波，

6、且?=vq=vq。22.德拜頻率?D──Debye模型中g(shù)(?)的最高頻率。23.愛因斯坦頻率?E──Einsten模型中g(shù)(?)的最可幾頻率。24.電子密度分布溫度T時(shí)，能量E附近單位能量間隔的電子數(shù)。25.接觸電勢(shì)差任意兩種不同的物質(zhì)A、B接觸時(shí)產(chǎn)生電荷轉(zhuǎn)移，并分別在A和B上產(chǎn)生電勢(shì)VA、VB，這種電勢(shì)稱為接觸電勢(shì)，其差稱為接觸電勢(shì)差。25.BLoch電子費(fèi)米氣把質(zhì)量視為有效質(zhì)量，除碰撞外相互間無(wú)互作用，遵守費(fèi)米分布的?mBloch

7、電子的集合稱為BLoch電子費(fèi)米氣。26.26.慣用元胞（單胞）：既能反映晶格周期性，又能反映其對(duì)稱性的結(jié)構(gòu)單元。慣用元胞（單胞）：既能反映晶格周期性，又能反映其對(duì)稱性的結(jié)構(gòu)單元。27.27.簡(jiǎn)諧近似：晶體中粒子相互作用勢(shì)能泰勒展開式中只取到二階項(xiàng)的近似。簡(jiǎn)諧近似：晶體中粒子相互作用勢(shì)能泰勒展開式中只取到二階項(xiàng)的近似。28.杜隆伯替定律：高溫下固體比熱為常數(shù)。29.晶體的對(duì)稱性：經(jīng)過某種對(duì)稱操作后晶體能自身重合的性質(zhì)。30.格波的態(tài)密度

8、函數(shù)（振動(dòng)模式密度）：在ω附近單位頻率間隔內(nèi)的格波總數(shù)。31.31.晶體結(jié)合能：原子在結(jié)合成晶體過程中所釋放出來的能量。晶體結(jié)合能：原子在結(jié)合成晶體過程中所釋放出來的能量。32.32.倒格矢：倒格矢：A、肖特基缺陷B、佛倫克爾缺陷C、自填隙原子D、堆垛層錯(cuò)6、離子晶體的基本特點(diǎn)有(C)A、低熔點(diǎn)B、高塑性C、高強(qiáng)度D、半導(dǎo)性7、氯化鈉晶體結(jié)構(gòu)是由(B)A、由二套面心格子沿體對(duì)角線方向滑14長(zhǎng)度套構(gòu)而成B、由二套面心立方格子沿晶軸方向滑1

9、2長(zhǎng)度套構(gòu)而成C、由二套體心立方格子沿體對(duì)角線方向滑14長(zhǎng)度套構(gòu)而成D、由一套體心格子和一套面心格子沿體對(duì)角線方向滑14長(zhǎng)度套構(gòu)而成8、布里淵區(qū)的特點(diǎn)包括(B)A、各個(gè)布里淵區(qū)的形狀都不相同B、各布里淵區(qū)經(jīng)過適當(dāng)?shù)钠揭?，都可移到第一布里淵區(qū)且與之重合C、每個(gè)布里淵區(qū)的體積都不相等D、晶體結(jié)構(gòu)的布喇菲格子雖然相同，但其布里淵區(qū)形狀卻不會(huì)相同9、金屬晶體的熱傳導(dǎo)主要是通過(A)傳輸實(shí)現(xiàn)的A、電子B、聲子C、光子D、質(zhì)子10、在一維單原子鏈的

10、晶格振動(dòng)中，有（A）支聲學(xué)波、（A）支光學(xué)波。A、1，0B、1，1C、3，3D、3，611、依照量子自由電子論，K空間中電子的等能面是（A）。A、球面B、橢球面C、拋物面D、不規(guī)則曲面12、根據(jù)能帶理論，電子的能態(tài)密度隨能量變化的趨勢(shì)是隨能量增高而（D）。A、單調(diào)增大B、不變C、單調(diào)減小D、復(fù)雜變化13、周期性邊界條件決定了電子的波矢K在第一布里淵區(qū)內(nèi)可取值數(shù)量與晶體的初基元胞數(shù)N（A）。A、相等B、大于C、小于D、不一定14、按照費(fèi)米

11、分布，費(fèi)米能級(jí)所對(duì)應(yīng)的能態(tài)電子占據(jù)的幾率為（B）。A、1B、0.5C、015、根據(jù)能帶的能量是波矢的周期函數(shù)的特點(diǎn)，能帶的表示圖式可以有三種。以下不正確的是(D)。A、簡(jiǎn)約區(qū)圖式B、擴(kuò)展區(qū)圖式C、反復(fù)圖式D、單一圖式16、量子自由電子論是建立在（B）的基本假設(shè)之上的。A、周期性勢(shì)場(chǎng)B、恒定勢(shì)場(chǎng)C、無(wú)勢(shì)場(chǎng)17、晶體的宏觀特性包括（A）A、各向異性B、周期性C、重復(fù)性D、單一性18、不屬于半導(dǎo)體主要晶體結(jié)構(gòu)類型的是（D）。A、金剛石型結(jié)構(gòu)B