版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、MOSFET金屬氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(MetalOxideSemiconductFieldEffectTransistMOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(fieldeffecttransist)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為ntype與ptype的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOSFET、PMOSFET、nMOSFET、pM
2、OSFET等。目錄MOSFET的結(jié)構(gòu)MOSFET的工作原理詳細(xì)信息與相關(guān)發(fā)展MOSFET與IGBT的對(duì)比編輯本段MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1是典型平面N溝道增強(qiáng)型MOSFET的剖面圖。它用一塊P型硅半導(dǎo)體材料作襯底(圖la),在其面上擴(kuò)散了兩個(gè)N型區(qū)(圖lb),再在上面覆蓋一層二氧化硅(SiO?)絕緣層(圖lc),最后在N區(qū)上方用腐蝕的方法做成兩個(gè)孔,用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個(gè)孔內(nèi)做成三個(gè)電極:G(柵極)、S(源極)及D(漏極),如圖
3、1d所示。蘇州工職院機(jī)電07C3CZW手打從圖1中可以看出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的,D與S之間有兩個(gè)PN結(jié)。一般情況下,襯底與源極在內(nèi)部連接在一起。圖3是N溝道增強(qiáng)型MOSFET的基本結(jié)構(gòu)圖。為了改善某些參數(shù)的特性,如提高工作電流、提高工作電壓、降低導(dǎo)通電阻、提高開(kāi)關(guān)特性等有不同的結(jié)構(gòu)及工藝,構(gòu)成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結(jié)構(gòu)。圖2是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET的結(jié)構(gòu)圖。雖然有不同的結(jié)構(gòu),但其工作原理是相同的,這里就不
4、一一介紹了。編輯本段MOSFET的工作原理MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場(chǎng)效晶體管”(InsulatedGateFieldEffectTransistIGFET),而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質(zhì)而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場(chǎng)效晶體管元件時(shí)比較喜歡用IGFET,但是這些IGFET多半指的是MOSFET。MOSFET里的氧化層位于其通道上方,依照其操作電壓的不同,這層氧化物的厚度僅有數(shù)十至數(shù)百埃(
5、)不等,通常材料是二氧化硅(silicondioxideSiO2),不過(guò)有些新的進(jìn)階制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅(siliconoxynitrideSiON)做為氧化層之用。今日半導(dǎo)體元件的材料通常以硅(silicon)為首選,但是也有些半導(dǎo)體公司發(fā)展出使用其他半導(dǎo)體材料的制程,當(dāng)中最著名的例如IBM使用硅與鍺(germanium)的混合物所發(fā)展的硅鍺制程(silicongermaniumprocessSiGeprocess)。而可惜的是
6、很多擁有良好電性的半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(galliumarsenideGaAs),因?yàn)闊o(wú)法在表面長(zhǎng)出品質(zhì)夠好的氧化層,所以無(wú)法用來(lái)制造MOSFET元件。當(dāng)一個(gè)夠大的電位差施于MOSFET的柵極與源極(source)之間時(shí),電場(chǎng)會(huì)在氧化層下方的半導(dǎo)體表面形成感應(yīng)電荷,而這時(shí)所謂的“反型層”(inversionchannel)就會(huì)形成。通道的極性與其漏極(drain)與源極相同,假設(shè)漏極和源極是ntype,那么通道也會(huì)是ntype。通道形成
7、后,MOSFET即可讓電流通過(guò),而依據(jù)施于柵極的電壓值不同,可由MOSFET的通道流過(guò)的電流大小亦會(huì)受其控制而改變。電路符號(hào)常用于MOSFET的電路符號(hào)有很多種變化,最常見(jiàn)的設(shè)計(jì)是以一條直線代表通道,兩條和通道垂直的線代表源極與漏極,左方和通道平行而且較短的線代表柵極,如下圖所示。有時(shí)也會(huì)將代表通道的直線以破折線代替,以區(qū)分增強(qiáng)型MOSFET(enhancementmodeMOSFET)或是耗盡型MOSFET(depletionmode
8、MOSFET)。由于積體電路芯片上的MOSFET為四端元件,所以除了柵極、源極、漏極外,尚有一基極(Bulk或是Body)。MOSFET電路符號(hào)中,從通道往右延伸的箭號(hào)方向則可表示此元件為ntype或是ptype的MOSFET。箭頭方向永遠(yuǎn)從P端指向N端,所以箭頭從通道指向基極端的為ptype的MOSFET,或簡(jiǎn)稱PMOS(代表此元件的通道為ptype);反之若箭頭從基極指向通道,則代表基極為ptype,而通道為ntype,此元件為nt
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管mosfet
- 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 場(chǎng)效應(yīng)晶體管90069
- 場(chǎng)效應(yīng)晶體管90476
- 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理
- 隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管和InGaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管的可靠性研究.pdf
- 石墨烯及其場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及有機(jī)光敏場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備與研究.pdf
- 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的可制造性設(shè)計(jì).pdf
- 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及使用
- 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研制.pdf
- 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的大信號(hào)模型研究.pdf
- 新型結(jié)構(gòu)有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究
- 3do1型mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 有機(jī)小分子場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究.pdf
- 隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的模擬研究.pdf
- 并五苯場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備.pdf
- 鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管的TCAD模擬.pdf
- 隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的仿真研究.pdf
- 4場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其電路
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論