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文檔簡介
1、以硅材料為核心的傳統(tǒng)元器件日益趨近物理極限,越來越難以滿足電子系統(tǒng)小型化、高性能的需求。石墨烯作為一種新型電子材料,以其優(yōu)異的電性能、熱性能和應力性能引起國內外研究者的廣泛關注,有望成為下一代半導體器件的核心電子材料之一。以石墨烯為導電層的場效應晶體管作為一種新型納米器件,能夠滿足高性能與小型化結構的要求,成為目前電子器件的研究熱點。準確建立器件模型,對于微波和射頻電路的設計至關重要。本文針對石墨烯場效應晶體管器件模型展開研究,建立了等
2、效電路模型并進行參數提取。
介紹了石墨烯場效應晶體管的基本結構,分析了其工作原理和電學特性。根據石墨烯場效應晶體管的雙極性輸運的性質,分析了其輸出特性、開關比、飽和性能。作為對器件工藝的反饋,建立了小信號等效電路模型,包括石墨烯場效應晶體管的等效電路模型參數的初值測試提取方法,以及S參數優(yōu)化方法。在小信號模型的基礎上,論文對比了MOSFET、HEMT與石墨烯場效應晶體管的異同,對Angelov非線性模型進行了簡化與改進,提出了
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