化工行業(yè)新材料系列報(bào)告之六：存儲(chǔ)器量產(chǎn)元年臨近，前驅(qū)體材料國產(chǎn)化勢在必行-20180531-申萬宏源-24頁

1、行業(yè)及產(chǎn)業(yè)行業(yè)及產(chǎn)業(yè)行業(yè)研究行業(yè)研究行業(yè)深度行業(yè)深度證券研究報(bào)告證券研究報(bào)告化工化工化學(xué)原料化學(xué)原料2018年05月31日存儲(chǔ)器量產(chǎn)元年臨近，前驅(qū)體材料存儲(chǔ)器量產(chǎn)元年臨近，前驅(qū)體材料國產(chǎn)化勢在必行國產(chǎn)化勢在必行看好看好——新材料系列報(bào)告之六相關(guān)研究相關(guān)研究證券分析師證券分析師宋濤A0230516070001songtao@研究支持研究支持沈衡A0230117050016shenheng@聯(lián)系人聯(lián)系人馬昕曄(8621)2329781874

2、33maxy@本期投資提示：本期投資提示：?我國半導(dǎo)體芯片受制于人，大容量存儲(chǔ)迎來突破我國半導(dǎo)體芯片受制于人，大容量存儲(chǔ)迎來突破。2017年我國集成電路市場規(guī)模達(dá)到1.67萬億元，同比增長17.5%，但是國內(nèi)集成電路市場主要依賴進(jìn)口，進(jìn)口額達(dá)到2601億美元，貿(mào)易逆差達(dá)到1932億美元。作為使用最為普遍的一種高端通用芯片，存儲(chǔ)器在集成電路細(xì)分市場中規(guī)模居首。由于越來越多經(jīng)濟(jì)、社會(huì)、科技、軍事等信息和資源被存儲(chǔ)器儲(chǔ)存收集，極易被竊取和利用

3、，存儲(chǔ)器作為信息存儲(chǔ)的核心載體，其安全性更受到高度重視。因此存儲(chǔ)芯片國產(chǎn)化已上升為涉及國家信息安全的戰(zhàn)略地位。同時(shí)從海外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑看，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展成為其實(shí)現(xiàn)國家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的切入點(diǎn)。因此我國加大了對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的投入，重點(diǎn)推進(jìn)以長江存儲(chǔ)（武漢新芯）、合肥長鑫、福建晉華為代表的存儲(chǔ)器項(xiàng)目，2019年有望成為量產(chǎn)元年。?存儲(chǔ)器推動(dòng)半導(dǎo)體銷售額高增，存儲(chǔ)器推動(dòng)半導(dǎo)體銷售額高增，3D3DNN漸成主流。漸成主流。20142016年全球半

4、導(dǎo)體銷售額基本變化不大，而2017年半導(dǎo)體銷售額同比增長21.6%，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的4122億美元，主要得益于存儲(chǔ)器市場的高速增長，2017年存儲(chǔ)器市場銷售額大幅增長61.5%，達(dá)到1240億美元。數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的發(fā)展使得對(duì)存儲(chǔ)速度和容量的要求不斷提高，為了突破2DN的物理極限，三星、海力士、東芝等主流廠商將技術(shù)轉(zhuǎn)向3DN，根據(jù)IBS預(yù)測3DN市場將由2015年7.1%提升至2025年的98.2%，市場規(guī)模將達(dá)到685億

5、美元。?大容量存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)高深寬比制造要求，大容量存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)高深寬比制造要求，ALDALD沉積工藝更具優(yōu)勢沉積工藝更具優(yōu)勢。隨著DRAM制程的不斷縮窄以及3DN的發(fā)展，對(duì)深寬比制造要求越來越高，ALD沉積工藝相比傳統(tǒng)CVD和PVD具有更好的均勻性和臺(tái)階覆蓋能力，更適用于大容量存儲(chǔ)制造過程。?前驅(qū)體市場不斷擴(kuò)大，前驅(qū)體市場不斷擴(kuò)大，3D3D結(jié)構(gòu)刺激需求增長。結(jié)構(gòu)刺激需求增長。前驅(qū)體是半導(dǎo)體薄膜沉積工藝的主要原材料，主要應(yīng)用于氣相沉積（包括PVD

6、、CVD及ALD），以形成符合半導(dǎo)體制造要求的各類薄膜層。隨下游邏輯、存儲(chǔ)等芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，前驅(qū)體總體市場規(guī)模將保持快速增長。根據(jù)日本富士經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù)全球前驅(qū)體銷售規(guī)模在2014年約7.5億美元，預(yù)計(jì)2019年達(dá)到約12.0億美元CAGR10%。根據(jù)Techcet的報(bào)告，由于復(fù)雜的3D結(jié)構(gòu)極大的激發(fā)了對(duì)高k沉積制程的需求，帶動(dòng)高k及金屬前驅(qū)體市場快速增長，2015年用于ALDCVD的高k及金屬前驅(qū)體市場規(guī)模為1.85億美元2019年增長為3.

7、25億美元，CAGR約15%。?投資建議：投資建議：隨著存儲(chǔ)器容量及儲(chǔ)存速度需求的不斷提升，大容量3DN將成為未來主流，刺激前驅(qū)體需求快速增長，同時(shí)國內(nèi)長江存儲(chǔ)、合肥長鑫、福建晉華等存儲(chǔ)器項(xiàng)目投產(chǎn)臨近，2019年有望成為量產(chǎn)元年，前驅(qū)體國產(chǎn)化勢在必行，率先切入產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)將形成先發(fā)優(yōu)勢，充分享受產(chǎn)業(yè)上升期的市場紅利。重點(diǎn)推薦：雅克科技：雅克科技：公司通過收購實(shí)現(xiàn)對(duì)韓國前驅(qū)體企業(yè)UPChemical100%控股，未來將填補(bǔ)國內(nèi)半導(dǎo)體前驅(qū)體

8、空白。UPChemical前驅(qū)體主要用于存儲(chǔ)、邏輯芯片制造的CVD和ALD沉積技術(shù)，廣泛應(yīng)用于高端制程下DRAM以及先進(jìn)的3DN的制造工藝，客戶包括海力士、三星、東芝、臺(tái)積電等全球主流半導(dǎo)體廠商，未來在大基金助力下，將加速導(dǎo)入國內(nèi)長江存儲(chǔ)、中芯國際等，勢必迎來加速發(fā)展。?風(fēng)險(xiǎn)提示：風(fēng)險(xiǎn)提示：3DN市場滲透率不及預(yù)期，國內(nèi)存儲(chǔ)器項(xiàng)目量產(chǎn)進(jìn)度不及預(yù)期，前驅(qū)體企業(yè)國產(chǎn)化導(dǎo)入進(jìn)度不及預(yù)期請務(wù)必仔細(xì)閱讀正文之后的各項(xiàng)信息披露與聲明行業(yè)深度請務(wù)必仔

9、細(xì)閱讀正文之后的各項(xiàng)信息披露與聲明第3頁共24頁簡單金融成就夢想1.存儲(chǔ)器國產(chǎn)化投入加大，大容量存儲(chǔ)即將進(jìn)入量產(chǎn)元年存儲(chǔ)器國產(chǎn)化投入加大，大容量存儲(chǔ)即將進(jìn)入量產(chǎn)元年...61.1我國半導(dǎo)體芯片受制于人，大容量存儲(chǔ)迎來突破...................................61.2存儲(chǔ)器推動(dòng)半導(dǎo)體銷售額高增，市場主要被日韓壟斷..........................81.33DNFlash優(yōu)勢突出，逐步加快對(duì)

10、2DN替代................102.大容量存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)高深寬比制造要求，大容量存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)高深寬比制造要求，ALD沉積工藝更具優(yōu)沉積工藝更具優(yōu)勢........................................................................................132.1ALD沉積薄膜具有更高的均勻性和臺(tái)階覆蓋能力..............................

11、..132.2ALD工藝在高深寬比制造中更具優(yōu)勢....................................................153存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)驅(qū)動(dòng)前驅(qū)體市場不斷擴(kuò)大，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)驅(qū)動(dòng)前驅(qū)體市場不斷擴(kuò)大，3D結(jié)構(gòu)刺激需求增長結(jié)構(gòu)刺激需求增長...........................................................................................

12、174.標(biāo)的公司標(biāo)的公司........................................................................194.1雅克科技：全資控股UPChemical填補(bǔ)國內(nèi)半導(dǎo)體前驅(qū)體空白，必將迎來加速發(fā)展...........................................................................................