已閱讀1頁，還剩48頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、隨著集成電路工藝的不斷發(fā)展，關(guān)鍵尺寸的大小不斷遞減，半導(dǎo)體晶片不斷地朝小體積、高電路密集度、快速、低耗電方向邁進(jìn)。集成電路現(xiàn)已進(jìn)入U(xiǎn)LSI亞微米級的技術(shù)階段，并且在不斷的進(jìn)步。 對于半導(dǎo)體芯片來說，速度與功耗一直是非常重要的兩個(gè)環(huán)節(jié)。而與功耗相關(guān)的器件隔離技術(shù)是非常重要的，因?yàn)楦綦x技術(shù)的好壞直接決定了整個(gè)電路的漏電特性．現(xiàn)場蒸汽生成工藝生長淺溝道隔離氧化層的方法是一項(xiàng)重要隔離工藝。它在130nm線寬以下器件的STI溝道內(nèi)壁隔離氧
2、化層和犧牲氧化層的加工過程中得到了較為廣泛的應(yīng)用。為了更好的掌握和優(yōu)化工藝參數(shù)和控制氧化層質(zhì)量，有必要對該工藝的影響因素進(jìn)行深入系統(tǒng)的研究、探討。 本論文研究了淺溝道隔離中應(yīng)用的現(xiàn)場蒸汽生成工藝及影響因素；分別利用干法氧化，濕法氧化和現(xiàn)場蒸汽生成工藝生長淺溝道隔離氧化層，對不同氧化層進(jìn)行了對比。得到的結(jié)論如下：現(xiàn)場蒸汽生成工藝中低含量的氫氣對提高氧化速度有明顯作用；現(xiàn)場蒸汽生成工藝反應(yīng)溫度越高，反應(yīng)速度越快；反應(yīng)壓力在8~12T
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 材料分析技術(shù)在集成電路工藝中的應(yīng)用.pdf
- 集成電路項(xiàng)目應(yīng)用
- 橢偏儀在集成電路檢測中的應(yīng)用.pdf
- FTFN在模擬集成電路中的應(yīng)用研究.pdf
- 測量系統(tǒng)分析在集成電路測試中的應(yīng)用.pdf
- 三維RCWA方法及其在集成電路中的應(yīng)用.pdf
- 集成電路中電源的研究.pdf
- 智能優(yōu)化算法在集成電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用研究.pdf
- 幾何規(guī)劃算法及其在集成電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用.pdf
- 集成電路中的無源元件
- 寬光譜橢偏儀在集成電路中的研究與應(yīng)用.pdf
- 電流信息在集成電路故障診斷中的應(yīng)用研究.pdf
- SBL技術(shù)在集成電路封裝測試過程中的應(yīng)用.pdf
- 蟻群算法在集成電路布線問題中的應(yīng)用.pdf
- 集成電路應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)實(shí)踐
- 集成電路中ESD防護(hù)研究.pdf
- 時(shí)基集成電路的應(yīng)用大全
- cmos集成電路中的esd保護(hù)
- 項(xiàng)目管理在集成電路設(shè)計(jì)項(xiàng)目中的應(yīng)用.pdf
- 精確定位技術(shù)在集成電路失效分析中的應(yīng)用研究.pdf
評論
0/150
提交評論