聚焦離子束在集成電路失效分析中的應(yīng)用和實(shí)例分析.pdf

1、集成電路在研制，生產(chǎn)，和使用中都會(huì)發(fā)生失效，通過失效分析工作可以幫助集成電路設(shè)計(jì)人員找到設(shè)計(jì)上的缺陷，工藝參數(shù)的不匹配；同時(shí)也幫助集成電路制造過程中找到生產(chǎn)線上的缺陷，幫助生產(chǎn)線上快速提升制程量率；隨著集成電路復(fù)雜度的不斷增加，用于硅片調(diào)試和失效分析的方法將扮演越來越關(guān)鍵的角色。 一項(xiàng)失效分析工作能否完成，最終要看能否找出器件結(jié)構(gòu)上的缺陷。面對(duì)高集成度和亞微米線寬，聚焦離子束（FIB）已經(jīng)成為一種越來越重要的設(shè)備。 本文

2、介紹了失效分析工作的主要內(nèi)容和聚焦離子束系統(tǒng)，并且主要討論了聚焦離子束在失效分析工作中的各種應(yīng)用，比如缺陷點(diǎn)的定位、缺陷剖面的制備、透射式電子顯微鏡（TEM）樣品的制備等等。并且引用實(shí)際的失效分析案例來詳細(xì)說明了這些應(yīng)用是如何實(shí)現(xiàn)的。 在討論這些FIB 在失效分析中的常規(guī)應(yīng)用的同時(shí)，本文還討論了以下兩個(gè)新的應(yīng)用。 第一個(gè)問題是對(duì)于金屬線/通孔梳狀結(jié)構(gòu)這種新的可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)，常規(guī)的使用“光致阻值改變顯微鏡”（OBIRCH）