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文檔簡介
1、在納米材料合成領域,通過控制化學反應來制備結構與性能可控的功能化(復)合物一直是研究熱點。然而由于化學鍵的斷裂需要克服能量勢壘,通常的化學反應需要借助外界提供的能量才能被激發(fā)。電磁輻射(EMR)作為常見的能量載體,能夠給反應物提供足夠高的活化能并促使體系發(fā)生化學反應,因此在材料制備過程中常被用作反應激發(fā)源。其中,微波、紅外線和紫外線作為常見的電磁輻射,通常被用來激發(fā)和調控化學反應,一方面是因為其輻射的頻率與分子的振動頻率相近,容易引起分
2、子的共振;另一方面是由于該波段的電磁輻射能量相比X射線和伽馬射線較小,可以有效減少輻射損傷和能耗。本文利用光/熱激發(fā)反應制備出過渡金屬化合物氧化鋅和氮/碳化鉬;借助FESEM、TEM、XRD、Raman以及XPS等分析技術對反應產物的形貌、晶體結構、分子結構和化學元素等性質進行表征;結合表征結果探究了紫外輻射對ZnO晶體形核與生長的影響,以及熱輻射(紅外)在g-C3N4分子化學鍵斷裂過程中的作用。
本研究主要內容包括:⑴利用波
3、長為365nm的紫外光輻照一定濃度的Zn(NO3)2溶液并使其在TiO2納米管襯底上發(fā)生光化學反應,最終制備出形貌可控的ZnO/TiO2納米復合結構;根據(jù)FESEM、TEM、XRD和Raman的表征結果,我們探究了紫外光照、Zn(NO3)2溶液濃度以及TiO2納米管退火時長對ZnO晶體形貌的影響;借助光化學理論,我們進一步討論了TiO2納米管表面的光化學反應過程,以及光子在反應過程中對ZnO晶體形核與生長的影響。通過FESEM表征發(fā)現(xiàn),
4、當紫外光照時長為12 h,Zn(NO3)2溶液濃度為1 mol L-1,TiO2納米管陣列退火時長為8h時,基底表面長出了大量均勻分布的納米片,并且交錯形成納米孔狀薄膜;而當給Zn(NO3)2溶液加熱到343 K時,基底表面的納米孔狀結構演變成為三維的納米花狀結構。XRD表征結果說明TiO2納米管為銳鈦礦相,而ZnO納米結構為六方纖鋅礦相,且均主要沿著(101)晶面生長。此外,樣品的Raman光譜圖中出現(xiàn)了ZnO非極性E2(high)模
5、和E1(LO)模的特征峰,再次表明TiO2基底上的納米多孔結構與花狀結構均屬于六方纖鋅礦相的ZnO晶體。對ZnO晶體的形核與生長機理作了深入討論。ZnO晶體的形核與長大主要由TiO2納米管表面的電子密度、TiO2納米管表面吸附的O2分子、溶液中H2O分子與Zn2+的濃度以及Zn(NO3)2溶液的反應溫度這幾方面因素決定;TiO2納米管表面氧空位的出現(xiàn)增加了其電子濃度和分子吸附能力;而隨著反應溫度的升高,光子對ZnO納米片生長方向的誘導作
6、用被削弱,這使得ZnO的晶體形貌從二維多孔納米膜演變成三維球狀納米花。⑵利用C2H4N4合成出g-C3N4前驅體,再將其與α-MoO3反應,最終制備出Mo2N/Mo2C納米復合物;根據(jù)TEM、XRD、DSC、Raman和XPS的表征結果,我們探究了高溫下晶體的相變過程;借助密度泛函理論(DFT)和晶格熱膨脹模型,我們計算了g-C3N4分子末端C-N鍵斷裂前后的勢能及其分子軌道,以及反應過程中溫度對g-C3N4分子化學鍵斷裂的影響。通過T
7、EM表征發(fā)現(xiàn),反應產物主要為顆粒狀的MoO2晶體,部分Mo2N和Mo2C晶格鑲嵌其中,它們分別沿著(111)和(002)晶面定向生長。XRD與DSC表征顯示,在748K時MoO3晶體逐漸轉變成為MoO2晶體,并主要以(-111)晶面定向生長,該過程為放熱反應;在798 K時g-C3N4晶體的(100)晶面消失,而在873 K時其(002)晶面消失,這兩個相變過程均屬于吸熱反應,說明在該溫度下g-C3N4晶格完全被破壞;當溫度達到923K
8、時,MoO2晶格中出現(xiàn)了Mo2N,該過程為吸熱反應,而Mo2C晶體在998K時才形成。Raman和XPS的表征則說明,Mo-O鍵和C-N鍵的斷裂過程具有溫度選擇性,其中g-C3N4分子的末端C-N鍵在高溫下比其它化學鍵活潑。DFT計算結果表明,在末端C-N鍵處于平衡位置時,g-C3N4分子內部處于HOMO能級的吡啶N和C原子之間由中心對稱的共軛大π鍵及σ鍵支配,而處于LUMO能級的末端N和C原子之間則由σ鍵支配,共軛大π鍵的存在使g-C
9、3N4分子內部的C-N鍵比末端的C-N鍵更穩(wěn)定,因此在高溫下其化學鍵優(yōu)先斷裂。隨著末端C-N鍵開始斷裂,HOMO能級的對稱點將從g-C3N4分子的中心轉移到邊緣,使得g-C3N4分子中的末端C和N原子具有相當高的化學活性;相比之下,LUMO能級幾乎沒有發(fā)生變化,這是因為LUMO能級上的C原子一直處于低能量狀態(tài)。此外,基于晶格熱膨脹模型的討論表明,高溫下原子之間的非簡諧振動是C-N鍵斷裂的主要原因,激發(fā)反應所需的溫度取決于分子解離能的大小
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