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1、本文介紹了n型宏孔硅光電化學(xué)腐蝕機(jī)理,研究了腐蝕電流與宏孔硅孔徑之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。結(jié)果表明當(dāng)臨界電流密度一定時(shí),孔徑隨腐蝕電流的增大而增大。分析了臨界電流密度的影響因素,發(fā)現(xiàn)臨界電流密度的大小受到溫度、HF酸濃度等外界因素影響,進(jìn)而影響孔徑的大小。由于腐蝕電流受光照強(qiáng)度控制,本文提出通過(guò)調(diào)整光強(qiáng)進(jìn)而控制宏孔孔徑的自動(dòng)控制方法,進(jìn)行了電流自動(dòng)控制系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。在硬件設(shè)計(jì)中,電流控制模塊采用PWM驅(qū)動(dòng)BUCK電路的方式調(diào)整LED陣列光源的
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