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1、本文首先考慮了在偏置的金屬-分子-金屬結(jié)的幾種基本單分子光學(xué)現(xiàn)象。分子被表示成最高占有分子軌道(HOMO)和最低未占有分子軌道(LUMO),而且同時(shí)考慮三種耦合通量:第一,通過(guò)分子的電子流通量;第二,元件中分子和電子-空穴激發(fā)問(wèn)的能流通量;第三,入射或者發(fā)射的光子通量。 其次,利用基于非平衡格林函數(shù)方法的標(biāo)準(zhǔn)理論,在上述的面結(jié)中,我們可以得到吸收光譜線(xiàn)形狀和分子發(fā)射感應(yīng)電流的表達(dá)式。其中,吸收光譜線(xiàn)形狀是不容易觀察的,但是它對(duì)得
2、到其它光學(xué)過(guò)程很有參考價(jià)值。我們也考慮了在不偏置結(jié)中共振輻射能感應(yīng)電子流。 然后,我們發(fā)現(xiàn)在適當(dāng)?shù)臈l件下,在單分子結(jié)中共振光感應(yīng)電子流和分子發(fā)射激勵(lì)電流都是可觀測(cè)值。特別地,在具有強(qiáng)電荷位移光躍遷的分子橋結(jié)中可以觀測(cè)到光感應(yīng)電流。為了觀測(cè)分子發(fā)射感應(yīng)電流,我們發(fā)現(xiàn)除了需要控制分子激發(fā)到金屬基底片的減弱,而且這個(gè)分子發(fā)射感應(yīng)電流還對(duì)分布在結(jié)上的勢(shì)偏置很敏感。 最后,對(duì)全文進(jìn)行了總結(jié)并對(duì)分子電子學(xué)的理論研究及應(yīng)用做了展望。
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