基于化學(xué)氣相沉積的石墨烯場效應(yīng)晶體管研究.pdf

1、石墨烯是由 sp2雜化碳原子構(gòu)成的一種具有蜂窩狀六方點陣結(jié)構(gòu)的二維納米材料。自從2004年穩(wěn)定存在的石墨烯被人們通過微機(jī)械剝離法發(fā)現(xiàn)以來,石墨烯以其優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)、力學(xué)特性吸引了科學(xué)家和工程師的注意。特別是在微電子領(lǐng)域,石墨烯有望在“后摩爾定律時代”成為硅的替代材料。本文通過化學(xué)氣相沉積方法,在銅箔上生長了大面積、高質(zhì)量的石墨烯,并將其轉(zhuǎn)移到 Si-SiO2襯底上。利用多種手段對石墨烯進(jìn)行了表征.并分別制備了背柵、頂柵結(jié)構(gòu)的石墨烯場效

2、應(yīng)晶體管,研究了其電學(xué)性能。
　　得出的主要結(jié)果如下:
　　開發(fā)了“電化學(xué)拋光”處理銅箔的專用儀器,能夠?qū)崿F(xiàn)大面積晶疇的石墨烯生長,滿足了器件制備對高質(zhì)量石墨烯的需求。
　　在工藝研究方面:通過參數(shù)優(yōu)化實驗,確定了氧等離子刻蝕,超聲輔助清洗,低溫原子城淀積生長柵介質(zhì)等工藝的參數(shù)。
　　在器件制備方面:整合各個單步工藝,建立了石墨烯場效應(yīng)器件背柵結(jié)構(gòu)和頂柵結(jié)構(gòu)的整套工藝流程,并測得具有典型石墨烯特征的器件電學(xué)特性。