中性分子的激光聚焦與靜電導(dǎo)引.pdf

1、華東師范大學(xué)博士學(xué)位論文中性分子的激光聚焦與靜電導(dǎo)引姓名：夏勇申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：光學(xué)指導(dǎo)教師：印建平20061001究了一種四極靜電場用來導(dǎo)引弱場搜尋態(tài)的分子的新方案。對(duì)于產(chǎn)生的重水超聲分子束，橫向的溫度為253mK。載荷導(dǎo)體棒加上不同的導(dǎo)引電壓時(shí)，經(jīng)過六級(jí)桿會(huì)聚的分子束，裝載進(jìn)入靜電導(dǎo)管之后，由于不同的電壓對(duì)應(yīng)不同的橫向勢(shì)阱的阱深，不同的橫向勢(shì)阱的深度又限制著不同橫向速度的分子束可以通過靜電導(dǎo)管傳輸。導(dǎo)引電壓為25kV比OkV時(shí)

2、，導(dǎo)引分子數(shù)目增加了2倍。本文在實(shí)驗(yàn)上實(shí)現(xiàn)了弱場搜尋念極性分子的表面靜電導(dǎo)引。我們利用超聲分子束具有比較低的橫向溫度的特征，通過在芯片表面靜電導(dǎo)管的橫向勢(shì)阱深度對(duì)超聲分子束橫向速度進(jìn)行操控，實(shí)現(xiàn)超聲分子束在芯片表面的靜電導(dǎo)引。當(dāng)加上導(dǎo)引電壓25kv時(shí)的導(dǎo)引信號(hào)強(qiáng)度是不加導(dǎo)引電壓時(shí)的導(dǎo)引信號(hào)強(qiáng)度的25倍。同時(shí)進(jìn)行了Montecarlo模擬分子導(dǎo)引的動(dòng)力學(xué)過程的研究。導(dǎo)引電壓增加，橫向勢(shì)阱深度增加，分子束的縱向粒子數(shù)目也有一定的增加。我們研