高K介質槽型功率MOS研究.pdf

1、超結理論的提出,打破了功率MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)中的“硅極限”,建立了功率器件的里程碑,但電荷平衡問題一直是超結器件設計和制造中的關鍵和難點。本文研究了Super Junction SOI LDMOS,并且進一步地結合Super Junction理論和高k介質材料,提出了三種新型的SOI HK LDMOS,旨在改善LDMOS的耐壓和比導通電阻的折衷關系。
　　(1)典型的SOI Super Junctio

2、n LDMOS,該結構通過漂移區(qū)中相鄰的P/N柱區(qū)相互耗盡,在保持耐壓的同時提高了漂移區(qū)的摻雜濃度。仿真得到了擊穿電壓BV=179V,比導通電阻Ron,sp=5.3mΩ·cm2。然后介紹了超結結構的關鍵工藝步驟。
　　(2)具有高k介質槽的SOI LDMOS(SOI HK LDMOS),該結構在N型漂移區(qū)兩側引入高k介質槽。體區(qū)-高k介質-漂移區(qū)形成了等效MIS電容結構,等效電容自適應地輔助耗盡漂移區(qū)并調制漂移區(qū)內的電場,不僅提高

3、了漂移區(qū)優(yōu)化濃度,而且緩解了襯底輔助耗盡效應帶來的電荷非平衡,在提高耐壓的同時降低了比導通電阻。仿真得到了耐壓BV=212V,比導通電阻Ron.sp=4.6mΩ·cm2。與SOI Super Junction LDMOS相比,根據高k介質的k值不同,該結構的比導通電阻Ron.sp可降低13％~20％,耐壓 BV可提高16％~18％,優(yōu)值 FOM(BV2/Ron.sp)可提高62％~68％。本文給出了該結構的一種可行工藝方案,與超結結構的

4、工藝相比,該結構的工藝相對簡單。
　　(3)具有半高k介質結構的LDMOS(Semi-HK LDMOS),該結構在靠近源端部分利用高k介質對漂移區(qū)的輔助耗盡和電場調制作用,優(yōu)化耐壓和比導通電阻的折衷,在靠近漏端部分采用常規(guī)的均勻低摻雜,緩解漏端強烈的襯底輔助耗盡效應,削弱器件對電荷非平衡的敏感性。仿真得到了耐壓BV=169V,比導通電阻Ron.sp=4.8mΩ·cm2的Semi-HK LDMOS。該結構與常規(guī)超結LDMOS相比,耐

5、壓下降5％,比導通電阻下降9％,但極大地改善了器件對電荷非平衡敏感的問題。最后給出了該結構的可行工藝方案。
　　(4)具有表面低阻通道的HK LDMOS(SLOP HK LDMOS),該結構在漂移區(qū)表面具有一層高摻雜的低電阻電流通路,正向導通時可以降低器件的導通電阻;在反向耐壓時,通過低摻雜的漂移區(qū)部分承受耐壓。仿真得到了耐壓BV=213V,比導通電阻Ron.sp=4.3mΩ·cm2的SLOP HK LDMOS,在通常結構的基礎上