高k柵介質SiGe MOS器件電特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著互補金屬氧化物半導體 (CMOS)器件特征尺寸的不斷縮小，Si基MOS 器件的發(fā)展達到了其物理極限，新的溝道材料應變SiGe 由于其具有空穴遷移率高，溫度范圍寬，熱傳導性良好和漏電流低等特點，成為了制造超小尺寸、高集成度、高頻、低噪聲集成電路的理想半導體材料。最近幾年，高k柵介質Ge和SiGe MOSFETs的研究是微電子學領域的熱點，主要集中于高k柵介質的制備工藝及其電特性研究。
　　 本文研究了SiGe MOSFET的遷

2、移率。在器件物理的基礎上，考慮了應變對SiGe合金能帶結構參數(shù)的影響，建立了一個半經(jīng)驗的Si1-xGex pMOSFET 反型溝道空穴遷移率模型。該模型重點討論了反型電荷對離化雜質散射的屏蔽作用，由此對等效體晶格散射遷移率進行了修正。并且詳細討論了等效體晶格散射遷移率隨摻雜濃度Nd和Ge組分x的變化。利用該模型，對影響空穴遷移率的主要因素進行了分析討論。本文介紹了高k柵介質Ge MOS 電容樣品的制備，并進行了測試。比較了濕N2 退火和

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