廉價(jià)襯底上PECVD法制備非晶硅薄膜的工藝研究.pdf_第1頁(yè)
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1、河北工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文廉價(jià)襯底上PECVD法制備非晶硅薄膜的工藝研究姓名：于經(jīng)申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：劉彩池20100301廉價(jià)襯底上PECVD法制備非晶硅薄膜的工藝研究iiSTUDYSTUDYSTUDYSTUDYONONONONTHETHETHETHEFABRICATIONFABRICATIONFABRICATIONFABRICATIONTECHNOLOGYTECHNOLOGYTECHNOLOGYTECHNO

2、LOGYOFOFOFOFAMPHOUSAMPHOUSAMPHOUSAMPHOUSSILICONSILICONSILICONSILICONFILMSBYFILMSBYFILMSBYFILMSBYPECVDPECVDPECVDPECVDONONONONLOWLOWLOWLOWCOSTCOSTCOSTCOSTSUBSTRATESSUBSTRATESSUBSTRATESSUBSTRATESABSTRACTABSTRACTABSTRACTABST

3、RACTEnvironmentpollutionenergysourceshtagearebecomingthemostimptantproblemsfthecurrentsociety.Solarenergyisaregenerativecleanenergy.Theresearehofsolarcellsbecomesmemeimptant.Theamphoussiliconfilmssolarcellshavebeenconcer

4、nedinthefieldofPVatpresent.Theapplicationoflowcostsubstratesmakesitmecompetitiveincostcontrol.Amphoussiliconthinfilmshavebeenwidelystudiedintherecentyears.UsingSiH4H2asgassourcesamphoussiliconthinfilmsaredepositedonglass

5、、siliconwafer、stainlesssteelsubstratesbyplasmaenhancedchemicalvapdeposition(PECVD).UsingthemethodsuchasXRD、Raman、SEM、FTIRtostudydifferentdepositionparameterssuchassilaneconcentration、substratetemperature、RFpower、gaspress

6、uresinfluencetothethinfilmsdepositionrate、structure、bondingmodesurfacetopography.Itindicatedthatwiththeincreaseofsilaneconcentration、substratetemperature、RFpowergaspressurethedepositionrateofamphoussiliconthinfilmsonglas

7、sincreased.Whensilaneconcentrationincreasedfrom1%to9%thedepositionrateincreasedthemostrapidlytheconfigurationsshiftedfromSiH、SiH2toSiHwhensubstratetemperatureincreasedfrom300℃to350℃thedepositionrateincreasedthemostrapidl

8、ytheconfigurationsshiftedfromSiH、SiH2toSiHwhenRFpowerincreasedfrom40Wto70WthedepositionrateincreasedthemostrapidlytheconfigurationsshiftedfromSiHtoSiH、SiH2whengaspressureincreasedfrom80Pato100Pathedepositionrateincreased

9、themostrapidlytheconfigurationsshiftedfromSiH、SiH2toSiH.Thentheoptimizeddepositonparametersofamphoussiliconthinfilmswereobtained.Differentsubstratematerialshadagreatinfluencetothesurfacetopographyofthinfilms.Thethinfilms

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