硅基GaN歐姆接觸及紫外探測器的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、浙江大學碩士學位論文硅基GaN歐姆接觸及紫外探測器的研究姓名：李嘉煒申請學位級別：碩士專業(yè)：材料物理與化學指導教師：葉志鎮(zhèn)2002.6.1浙江大學碩士學位論文硅基GaN歐姆接觸及紫外探測器的研究AbstractThisworkwassuppoaedbyTalentsAcrosstheCenturyoftheMinistryofEducationofChinaandNationalNaturalScienceFoundationofChi

2、naunderGrantNo69890230Thetitleofthisprojectis‘‘GrowthofGaNonsubstratesiliconanditsapplications”Inrecentyears，GalliumNitrideasawidebandgapsemiconductorhasattractedmoreandmoreattentionandadvancedrapidly，mainlyduetoitspromi

3、singapplicationsinshortwavelightemittingdevices，photodetectors，aswellasanti—radiation，highfrequencyandhighpowerelectronicdevicesUptodate，itisstillveryhardtogrowGaNbulkcrystals，sotheheteroepitaxialgrowthofhighqualityGaNth

4、infilmsisthepremiseforthedevelopmentofGaNbaseddevicesAtthesametime，therapidprogressondevicesrequiresbeRerohmiccontactbetweenmetalsandGaN，somuchmoreresearchworkmnstbecarriedoutatonceInthispaper，wefirstpresentedacomprehens

5、ivereviewoftheresearchhistoryandcurrentstatusofGaNmaterialpreparationandcharacterizationsOnthebasisofourrenovatedHWBEsystem，weconductedadetailedstudyofGaNepitaxyInaddition，theprimaryinvestigationofthispaperistheohmiccont

6、actbetweenmetalsandGaN，andwemadephotodetectorsbasedonGaN／SiThemainworkincludethreecontentsasfollowing：1、Forthefirsttime，wereportedwurtzitesinglecrystallineGaNonSi(111)substratesusingpolycrystallineGaNasabufferlayerinaver

7、ysimplereactiveevaporationtechniquebyHWBE2、WeresearchedthesituationofohmiccontactbetweenAlelectrode、Ti／AlelectrodeandnGaNwithdifferentannealingconditionsByusingXRDandSIMSanalyticmethods，weputupanewconceptaboutelectrodean

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