泌鹽植物中華補血草SOS1基因的克隆及其功能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、鹽脅迫是嚴重影響植物生長發(fā)育的非生物因素之一。土壤鹽漬化會引起大多數(shù)植物體內(nèi)Na+過量積累,進而影響植物的生長。鹽生植物能在鹽漬環(huán)境下正常生長,因此,克隆鹽生植物的耐鹽性關(guān)鍵基因并研究其功能,有助于深入理解植物的耐鹽機制,利用相關(guān)的基因資源,培育轉(zhuǎn)基因耐鹽植物,有效地改善和利用鹽漬化土地。
  本實驗以泌鹽鹽生植物中華補血草(Limonium sinense Kuntze)為材料,首先研究了補血草幼苗在不同鹽濃度下的脅迫響應、SO

2、S1基因的表達變化及中華補血草葉片中抗氧化酶的活性變化;其次,克隆了中華補血草SOS1基因(LsSOS1),構(gòu)建了過量表達載體、融合基因表達載體及沉默干擾表達載體,在擬南芥中將LsSOS1基因進行了過量表達和 LsSOS1-GFP融合基因的表達并在中華補血草中做了 LsSOS1RNAi遺傳轉(zhuǎn)化。對獲得的純合轉(zhuǎn)基因擬南芥及LsSOS1沉默轉(zhuǎn)基因中華補血草進行分子鑒定、耐鹽性分析、LsSOS1表達產(chǎn)物定位觀察及LsSOS1基因的表達變化研究

3、。進一步了解LsSOS1基因在鹽生植物中華補血草耐鹽過程中的重要作用。
  實驗主要結(jié)果如下:
  (1)中華補血草幼苗在不同鹽濃度下的脅迫響應及LsSOS1基因的表達變化
  彎根實驗中,低鹽濃度下補血草根的生長情況好于對照,隨著鹽濃度的升高,根的生長逐漸受到抑制。NaCl濃度高于200mmol/L時,中華補血草受到鹽脅迫, LsSOS1基因的表達量升高,根部高于葉片。
  (2)鹽脅迫下中華補血草葉片中抗氧化

4、酶的活性變化
  中華補血草在低鹽處理下,酶促活性氧自由基清除系統(tǒng)的各種酶活性與對照相比沒有明顯變化。但是,隨著NaCl濃度的增加,中華補血草受到鹽脅迫,活性氧清除酶類(SOD、POD、APX、CAT)的酶活性上升。說明在一定的濃度范圍內(nèi),補血草可以通過調(diào)節(jié)自身的抗氧化酶系統(tǒng)及其獨特的泌鹽、耐鹽機制來抵御鹽脅迫帶來的損傷,維持正常的生長。
  (3)中華補血草LsSOS1基因的克隆及序列分析
  根據(jù)其他物種中保守的S

5、OS1基因序列,設計簡并引物,利用RACE的方法克隆得到LsSOS1基因序列,開放閱讀框包含3456個核苷酸,推導編碼的蛋白質(zhì)有1152個氨基酸殘基組成,與大葉補血草SOS1基因(Limonium gmelinii SOS1)的同源性最高,達到了97%,編碼一種Na+/H+逆向轉(zhuǎn)運蛋白。
  (4) LsSOS1基因異源過量表達研究
  篩選得到了10個過表達LsSOS1的轉(zhuǎn)基因擬南芥株系,選用三個純合轉(zhuǎn)基因株系進行分子研究

6、和生理生化分析。通過Real-time PCR分析LsSOS1基因在擬南芥中表達量的差異。在不同濃度NaCl脅迫下,轉(zhuǎn)基因植株的萌發(fā)和生長情況要優(yōu)于野生型,轉(zhuǎn)基因植株比野生型植株的耐鹽性有所提高,轉(zhuǎn)基因植株的鮮重、干重及K+/Na+比率高于野生型,但是轉(zhuǎn)基因植株間的差異并不明顯。
  (5) LsSOS1表達產(chǎn)物亞細胞定位分析
  篩選得到過量表達P35S::LsSOS1-GFP的轉(zhuǎn)基因擬南芥。在共聚焦顯微鏡下通過觀察GFP

7、的綠色熒光確定LsSOS1表達產(chǎn)物的定位。初步確定了LsSOS1在細胞膜或細胞壁上表達,而不是在液泡膜或細胞質(zhì)中。為了進一步確認是在細胞質(zhì)膜上,可以用甘露醇將細胞皺縮質(zhì)壁分離,再進行觀察。
  (6) LsSOS1RNAi沉默轉(zhuǎn)基因中華補血草耐逆性分析
  通過優(yōu)化遺傳轉(zhuǎn)化體系,外植體的轉(zhuǎn)化率達到了20%,篩選獲得了30株 Ls SOS1RNAi沉默轉(zhuǎn)基因株系。
  對其中的3個株系進行 LsSOS1基因的表達研究和生

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