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文檔簡介
1、隨著Si1-xGex材料在高頻領(lǐng)域上的廣泛應(yīng)用以及SiGe IC芯片在集成電路領(lǐng)域的重要性不斷提升,對于Si1-xGex材料的研究引起了許多研究機構(gòu)的興趣。而生長質(zhì)量良好的Si1-xGex薄膜需要對其復(fù)雜的生長過程及其生長動力學(xué)進行研究。
基于Ge組分影響Si1-xGex生長速率的實驗結(jié)果,本文提出了分立流密度的機理和模型;基于 Si基半導(dǎo)體表面的二聚體理論,本文首次提出了 CVD(化學(xué)氣相淀積)外延生長Si1-xGex材料的
2、分速度機制和模型。與以前Si1-xGex材料只考慮表面反應(yīng)的影響機制的生長動力學(xué)模型,并且認為Si、Ge材料是獨立生長的觀點不同,本文還考慮了氣相輸運的控制機制和 Si、Ge材料相互獨立相互影響的生長過程,給出了Si1-xGex材料的分速度生長動力學(xué)模型。將模型計算值與實驗值進行了對比,發(fā)現(xiàn)在不同的溫度下,兩者符合得非常好。該模型考慮了多方面的生長影響因子,符合實際的生長過程,物理意義鮮明,結(jié)構(gòu)清晰,適用于不同氣源體系和不同溫度下的Si
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