版圖光刻工藝熱點(diǎn)快速檢測(cè)及修復(fù)技術(shù)研究

1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文版圖光刻工藝熱點(diǎn)快速檢測(cè)及修復(fù)技術(shù)研究碩士研究生：朱忠華學(xué)號(hào)：1142102098導(dǎo)師：黃其煜教授副導(dǎo)師：張浩申請(qǐng)學(xué)位：工程碩士學(xué)科：集成電路工程所在單位：電子信息與電氣工程學(xué)院答辯日期：2016年11月授予學(xué)位單位：上海交通大學(xué)萬(wàn)方數(shù)據(jù)上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文II版圖光刻工藝熱點(diǎn)快速檢測(cè)及修復(fù)技術(shù)研究摘要隨著集成電路生產(chǎn)工藝進(jìn)入亞波長(zhǎng)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，由于設(shè)計(jì)變得更加復(fù)雜，使用分辨率增強(qiáng)技術(shù)修復(fù)光刻工藝熱點(diǎn)變得更加困難

2、。為了解決這個(gè)問(wèn)題，設(shè)計(jì)者在產(chǎn)品流片前必須對(duì)版圖設(shè)計(jì)中的光刻工藝熱點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)。因此，光刻工藝熱點(diǎn)檢查成為可制造性設(shè)計(jì)中的一項(xiàng)重要技術(shù)。然而半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷深入，流片中產(chǎn)生的光刻工藝熱點(diǎn)的數(shù)量變得越來(lái)越龐大，檢查速度變得越來(lái)越慢。解決上述問(wèn)題，論文提出了模型優(yōu)化和局部化光刻工藝熱點(diǎn)仿真兩種方法，可以有效加速光刻工藝熱點(diǎn)的檢查。PW簡(jiǎn)化模型在保證誤報(bào)率不提升的情形下，可以提升仿真效率30%以上。局部化處理光刻工藝熱點(diǎn)檢查分為正向篩選與方

3、向過(guò)濾。采用熱點(diǎn)庫(kù)方式的正向篩選方法，采用合適的熱點(diǎn)圖形佳尺寸，可以將光刻工藝熱點(diǎn)檢查的速度至少提升65%。論文還提出了兩種特殊的光刻工藝熱點(diǎn)檢查方法，分別是改版類(lèi)型的光刻工藝熱點(diǎn)檢查與IP固化的光刻工藝熱點(diǎn)檢查。檢查效率的提升依賴(lài)于改動(dòng)或固化區(qū)域的大小，區(qū)域越小效率越高。工藝熱點(diǎn)的查找完成后，設(shè)計(jì)者必然需要制造者提供光刻工藝熱點(diǎn)修復(fù)指導(dǎo)。論文中根據(jù)光刻工藝熱點(diǎn)的類(lèi)型分類(lèi)拓展已知光刻工藝熱點(diǎn)，接而分批收集收據(jù)。最終給出了繞線層次線夾斷、