5m法暗室性能測(cè)試技術(shù)的研究.pdf_第1頁
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1、采用半電波暗室進(jìn)行電磁兼容測(cè)試在國(guó)際電磁兼容領(lǐng)域已經(jīng)廣泛認(rèn)可。暗室可用于輻射發(fā)射測(cè)試和電磁輻射敏感度測(cè)試。與3m法暗室和10m法暗室相比，5m法電波暗室在建設(shè)性價(jià)比、測(cè)試環(huán)境的場(chǎng)性能水平等方面具有較明顯的優(yōu)勢(shì)，目前尚無具體標(biāo)準(zhǔn)。
　　 本課題的任務(wù)是在研究暗室對(duì)歸一化場(chǎng)地衰減和場(chǎng)均勻性的3m法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上，制定暗室歸一化場(chǎng)地衰減的5m法測(cè)試方案，利用自主編寫的暗室自動(dòng)測(cè)試軟件對(duì)5m法暗室的歸一化場(chǎng)地衰減和場(chǎng)均勻性兩個(gè)指標(biāo)進(jìn)行測(cè)

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