非自治蔡氏電路混沌的解析預測及同步行為研究.pdf

1、本文建立了三種非自治蔡氏電路模型;提出了一種新的混沌解析預測方法，并利用該方法對該類電路產(chǎn)生混沌進行了預測，得到了該電路出現(xiàn)混沌時各參數(shù)必須滿足的條件;利用仿真和李雅普諾夫指數(shù)分析法驗證了三種非自治蔡氏電路產(chǎn)生混沌的解析預測結(jié)果;提出了一種新的混沌同步方法，并利用該方法對三種非自治蔡氏電路在參數(shù)失配情況下的混沌同步問題進行了研究;對該類電路的混沌同步進行了仿真驗證;給出了同步電路的具體實現(xiàn)電路并進行了Pspice模擬實驗。
　　本

2、文在對三種非自治蔡氏電路產(chǎn)生混沌的解析預測研究方面做了以下工作，即:設(shè)計三種非自治蔡氏電路模型（電流激勵蔡氏電路、電壓激勵蔡氏電路、電流電壓雙激勵蔡氏電路）和建立非線性動力學方程;然后設(shè)解為一次諧波解，求出諧波解慢變參數(shù)滿足的動力學方程和對應的平均化方程;通過對諧波解慢變參數(shù)動力學方程的離散化處理，再根據(jù)離散動力學理論，得出非自治蔡氏電路出現(xiàn)混沌必須滿足的參數(shù)條件。通過以上工作得到了以下幾點結(jié)論:
　　1)在電流激勵蔡氏電路中，激

3、勵電流頻率低的區(qū)域比高的區(qū)域容易產(chǎn)生混沌;激勵電流的振幅越小越容易產(chǎn)生混沌。
　　2)在電壓激勵蔡氏電路中，激勵電壓頻率高的區(qū)域比低的區(qū)域容易產(chǎn)生混沌;在某個頻率以下的區(qū)域基本不產(chǎn)生混沌，在某個頻率以上的區(qū)域，激勵電壓的振幅越小越容易產(chǎn)生混沌。
　　3)在電流電壓雙激勵蔡氏電路中，當激勵電流和激勵電壓在頻率相同的條件下，激勵電流或電壓頻率高的區(qū)域比低的區(qū)域容易產(chǎn)生混沌;在低頻區(qū)域只有振幅很小時才有可能產(chǎn)生混沌;激勵電流或電壓

4、的振幅越小越容易產(chǎn)生混沌。
　　本文在對參數(shù)失配情況下三種非自治蔡氏電路的混沌同步研究方面做了以下工作，即:針對驅(qū)動系統(tǒng)和響應系統(tǒng)中激勵電流和電壓的振幅及相位的失配情況，將原系統(tǒng)的非自治狀態(tài)方程等效變換為自治狀態(tài)方程，由于自治狀態(tài)方程增加了維數(shù)，這樣激勵電流和電壓可用增加的狀態(tài)方程的分量來體現(xiàn);由此，只要利用單向耦合同步法，再根據(jù)非線性微分幾何控制理論中的串接系統(tǒng)穩(wěn)定性方法將原混沌系統(tǒng)進行降維處理，就順利地實現(xiàn)了混沌系統(tǒng)的同步;通