銀納米棒陣列的金屬熒光增強(qiáng)及其在微型毛細(xì)管電泳技術(shù)中的應(yīng)用.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、由于金屬納米棒比金屬納米微球表現(xiàn)出更高的金屬增強(qiáng)熒光(MEF)的效果,本文主要采用電子束蒸發(fā)斜式生長銀納米棒(NDS)陣列研究其MEF效應(yīng),并首次把銀納米棒陣列的MEF與微流控技術(shù)相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)其器件熒光檢測靈敏度的提高。
  1.本文運(yùn)用電子束蒸發(fā)傾斜式生長法制備不同長度的銀納米棒陣列,并對其進(jìn)行了形貌表征及尺寸的統(tǒng)計。
  2.通過用一塊蓋玻片把熒光素異硫氰酸(FITC)夾在銀納米棒陣列和蓋玻片中間,測量熒光增強(qiáng)因子(EF

2、)。對于溶液的厚度為20.8微米和10微米的銀納米棒樣品,EF分別為3.7±0.64和6.74±2.04。
  3.由于銀納米棒之間有很強(qiáng)的等離子體激元耦合,只有嵌入三維的納米棒陣列中熒光團(tuán)發(fā)射能被增強(qiáng),發(fā)現(xiàn)長度為T=2000納米和T=3000納米的銀納米棒的相應(yīng)的有效增強(qiáng)因子(EEFs)是比較接近的,分別為259±92和340±102。
  4.為了驗(yàn)證微流體系統(tǒng)中的MEF應(yīng)用,二氧化硅的納米棒/銀納米棒的多層結(jié)構(gòu)集成進(jìn)入

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