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文檔簡介
1、隨著移動通信業(yè)的快速發(fā)展,移動電話的使用人群日益擴大,產(chǎn)生電磁輻射的范圍和強度不斷提高。由于手機和人們的聯(lián)系越來越緊密,手機電磁輻射對人體的影響成為近年來的研究熱門。據(jù)研究,大腦是人體對微波輻射最為敏感的部位之一。手機工作時發(fā)出的輻射中,四分之一被大腦吸收。研究表明,GSM通信網(wǎng)絡(luò)使用的900MHz電磁場影響人的神經(jīng)行為,會引起神經(jīng)衰弱等疾病。手機磁場暴露可對神經(jīng)細胞狀態(tài)及大腦認知、記憶等神經(jīng)系統(tǒng)功能產(chǎn)生影響。目前磁場對人體的影響機制尚
2、無定論,有必要在更深層次上研究手機輻射對腦神經(jīng)的影響。
本文采用全細胞膜片鉗技術(shù),研究900MHz射頻磁場對小鼠腦皮層神經(jīng)元鈉離子通道的影響。利用AnsoftHFSS軟件對6dB全向天線建模仿真,驗證了距天線2-3cm處磁場分布均勻。使用AgilentE4400B信號源產(chǎn)生900MHz信號。經(jīng)天線發(fā)出輸出功率為39.81mW的電磁場,對細胞進行刺激。實驗發(fā)現(xiàn),900MHz射頻磁場暴露5min、10min和15min對鈉離子
3、通道電流(Ina)有明顯的影響:磁場暴露增大鈉電流峰值,暴露組的鈉通道激活電位與對照組相比向超極化方向移動了-10mV(n=10),峰值電位向超極化方向移動了-10mV(n=10)。磁場暴露改變鈉通道的動力學特性:鈉通道激活曲線向超極化方向移動,對照組與磁場暴露組半數(shù)激活電壓分別為(-34.983±0.34)mV和(-43.137±0.56)mV(n=10,P<0.05),其斜率因子k分別為(2.334±0.15)mV和(2.339±0
4、.36)mV;鈉通道失活曲線向超極化方向移動,半數(shù)失活電壓分別為(-55.809±0.189)mV和(-63.64±0.627)mV(n=10,P<0.05),斜率因子k分別為(4.40±0.147)mV和(5.737±0.54)mV(n=10,P>0.05)。
結(jié)果表明,900MHz磁場暴露改變小鼠腦皮層神經(jīng)元鈉通道(I-V)特性和動力學特性,使得動作電位的開啟提前并加快其快速上升階段。900MHz磁場暴露提高了神經(jīng)元細
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