900MHz射頻磁場(chǎng)對(duì)神經(jīng)元離子通道的影響.pdf

1、隨著移動(dòng)通信業(yè)的快速發(fā)展，移動(dòng)電話的使用人群日益擴(kuò)大，產(chǎn)生電磁輻射的范圍和強(qiáng)度不斷提高。由于手機(jī)和人們的聯(lián)系越來(lái)越緊密，手機(jī)電磁輻射對(duì)人體的影響成為近年來(lái)的研究熱門。據(jù)研究，大腦是人體對(duì)微波輻射最為敏感的部位之一。手機(jī)工作時(shí)發(fā)出的輻射中，四分之一被大腦吸收。研究表明，GSM通信網(wǎng)絡(luò)使用的900MHz電磁場(chǎng)影響人的神經(jīng)行為，會(huì)引起神經(jīng)衰弱等疾病。手機(jī)磁場(chǎng)暴露可對(duì)神經(jīng)細(xì)胞狀態(tài)及大腦認(rèn)知、記憶等神經(jīng)系統(tǒng)功能產(chǎn)生影響。目前磁場(chǎng)對(duì)人體的影響機(jī)制尚

2、無(wú)定論，有必要在更深層次上研究手機(jī)輻射對(duì)腦神經(jīng)的影響。
　　 本文采用全細(xì)胞膜片鉗技術(shù)，研究900MHz射頻磁場(chǎng)對(duì)小鼠腦皮層神經(jīng)元鈉離子通道的影響。利用AnsoftHFSS軟件對(duì)6dB全向天線建模仿真，驗(yàn)證了距天線2-3cm處磁場(chǎng)分布均勻。使用AgilentE4400B信號(hào)源產(chǎn)生900MHz信號(hào)。經(jīng)天線發(fā)出輸出功率為39.81mW的電磁場(chǎng)，對(duì)細(xì)胞進(jìn)行刺激。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，900MHz射頻磁場(chǎng)暴露5min、10min和15min對(duì)鈉離子

3、通道電流(Ina)有明顯的影響:磁場(chǎng)暴露增大鈉電流峰值，暴露組的鈉通道激活電位與對(duì)照組相比向超極化方向移動(dòng)了-10mV(n=10)，峰值電位向超極化方向移動(dòng)了-10mV(n=10)。磁場(chǎng)暴露改變鈉通道的動(dòng)力學(xué)特性:鈉通道激活曲線向超極化方向移動(dòng)，對(duì)照組與磁場(chǎng)暴露組半數(shù)激活電壓分別為(-34.983±0.34)mV和(-43.137±0.56)mV(n=10，P＜0.05)，其斜率因子k分別為(2.334±0.15)mV和(2.339±0

4、.36)mV;鈉通道失活曲線向超極化方向移動(dòng)，半數(shù)失活電壓分別為(-55.809±0.189)mV和(-63.64±0.627)mV(n=10，P＜0.05)，斜率因子k分別為(4.40±0.147)mV和(5.737±0.54)mV(n=10,P＞0.05)。
　　 結(jié)果表明，900MHz磁場(chǎng)暴露改變小鼠腦皮層神經(jīng)元鈉通道(I-V)特性和動(dòng)力學(xué)特性，使得動(dòng)作電位的開(kāi)啟提前并加快其快速上升階段。900MHz磁場(chǎng)暴露提高了神經(jīng)元細(xì)