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文檔簡介
1、功率半導(dǎo)體器件是電力電子技術(shù)的核心之一，在智能功率集成電路 SPIC（Smart PowerIntegratedCircuit）等方面有著廣泛的應(yīng)用。其中，LDMOS（Lateral Double-diffused Metal-oxide Semiconductor）是應(yīng)用廣泛的功率半導(dǎo)體器件之一，如何平衡耐壓和比導(dǎo)通電阻之間的矛盾關(guān)系一直是 LDMOS研究的重點和難點。本文從 LDMOS的基本理論出發(fā)，通過引入優(yōu)化橫向變摻雜技術(shù)和超結(jié)
2、（Super Junction，SJ）結(jié)構(gòu)，對LDMOS的耐壓和比導(dǎo)通電阻等性能進(jìn)行了研究。
首先，本文介紹了優(yōu)化橫向變摻雜技術(shù)（Optimum Variation Lateral Doping，OPTVLD）的基本理論。優(yōu)化橫向變摻雜理論由電子科技大學(xué)陳星弼教授于1992年提出，通過在表面薄層內(nèi)引入一個特定的隨表面距離做橫向變化的摻雜分布，使得表面橫向耐壓層能在最短的距離內(nèi)實現(xiàn)最大的耐壓。文中介紹了優(yōu)化橫向變摻雜技術(shù)及其一般
3、應(yīng)用，并且通過仿真實例說明了該技術(shù)對 LDMOS表面電場的優(yōu)化作用。
接著，本文針對優(yōu)化橫向變摻雜技術(shù)，研究了現(xiàn)有的在一個方向上有著 SJ補償?shù)腛PTVLD-LDMOS，討論了幾個重要參數(shù)（漂移區(qū)表面P-top層濃度、漂移區(qū)濃度、P-bury層摻雜劑量及漏端與P-bury的水平距離）對其耐壓的影響，為提升器件性能提供參考。
最后，提出并研究了同時在兩個方向上對OPTVLD-LDMOS進(jìn)行SJ補償?shù)膬?yōu)化設(shè)計。通過在相同
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