深亞微米光刻工藝中套刻優(yōu)化方法的應(yīng)用研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、光刻工藝作為半導(dǎo)體制造技術(shù)的核心工藝，是整個IC制造技術(shù)向前發(fā)展的驅(qū)動力。隨著IC產(chǎn)業(yè)進(jìn)入22nm時代，不斷縮小的工藝尺寸對光刻套刻性能提出了非常高的要求。對于一些產(chǎn)品的關(guān)鍵工藝層，2-3nm的套刻偏差，將導(dǎo)致芯片性能直接下降甚至失效。因此，優(yōu)化光刻套刻性能，是研究光刻工藝的重要課題之一。
　　本文從套刻工藝的原理及應(yīng)用入手，結(jié)合實際的工藝測試數(shù)據(jù)，闡明了套刻工藝對產(chǎn)品良率的影響，同時也體現(xiàn)了套刻優(yōu)化需求的迫切性。然后，通過魚骨分

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