深亞微米標(biāo)準(zhǔn)單元庫設(shè)計(jì)與優(yōu)化.pdf

1、標(biāo)準(zhǔn)單元庫作為數(shù)字電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)，其性能的改善對(duì)整體電路性能的提高有著十分重要的作用。在深亞微米工藝下，特別是在130nm以下制程中隨著制造中效應(yīng)的引入，我們不得不對(duì)在電路設(shè)計(jì)和版圖中對(duì)此加以考慮；隨著對(duì)電路功耗越來越高的要求，在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中引入了多閾值電壓技術(shù)和電源門控(PowerGating)技術(shù)。以上這些都對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元庫的設(shè)計(jì)和優(yōu)化產(chǎn)生了重要影響。
　　 本文以中芯國際深亞微米標(biāo)準(zhǔn)單元庫為基礎(chǔ)，首先對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元庫的組成進(jìn)行了

2、簡要介紹；本篇論文對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元庫優(yōu)化的多個(gè)領(lǐng)域，包括傳統(tǒng)上的多閾值電壓標(biāo)準(zhǔn)單元庫，尺寸比例優(yōu)化、P管、N管寬度比例優(yōu)化，以及對(duì)于深亞微米工藝下影響標(biāo)準(zhǔn)單元性能的如STI、WPE效應(yīng)等進(jìn)行了分析。對(duì)于在深亞微米時(shí)代，電路愈加復(fù)雜，電路功耗管理的要求越來越高的趨勢，本文在最后一章，重點(diǎn)對(duì)現(xiàn)今業(yè)界較為流行和新穎的Power Gating技術(shù)進(jìn)行了分析，對(duì)其關(guān)鍵單元提出了優(yōu)化方法，使得在版圖面積，功耗和制造成本上給使用者更多選擇和均衡的空間。以上