40nm可制造標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf

1、目前，系統(tǒng)設(shè)計(jì)都采用自頂向下的設(shè)計(jì)方法，而標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)在該設(shè)計(jì)方法中起到了重要的作用。當(dāng)半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)入到納米時(shí)代后，標(biāo)準(zhǔn)單元的物理實(shí)現(xiàn)不僅要考慮傳統(tǒng)的速度、功耗和面積等性能指標(biāo)，還要考慮由于硅片表面光刻畸變引起的成品率下降問(wèn)題。在集成電路設(shè)計(jì)過(guò)程中不得不考慮制造中的問(wèn)題，在這時(shí)候就誕生了一個(gè)新的研究領(lǐng)域-可制造性設(shè)計(jì)技術(shù)。標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)作為設(shè)計(jì)與工藝的橋梁，不得不在標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的設(shè)計(jì)中考慮可制造性。
　　本文提出了一種應(yīng)用于40 nm可制

2、造標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的設(shè)計(jì)方法，該方法對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的建庫(kù)流程和設(shè)計(jì)方案進(jìn)行了優(yōu)化，有利于工藝制造階段對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元的光學(xué)鄰近效應(yīng)校正。本文根據(jù)晶圓代工廠(chǎng)(Foundry)提供的設(shè)計(jì)規(guī)則、數(shù)字IC設(shè)計(jì)流程，以及單元庫(kù)單元的性能指標(biāo)等要求，開(kāi)發(fā)了一套40 nm可制造標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)。版圖設(shè)計(jì)階段考慮光學(xué)鄰近效應(yīng)校正，將40 nm工藝設(shè)計(jì)規(guī)則和可制造性設(shè)計(jì)(DFM)規(guī)則結(jié)合起來(lái)，共同指導(dǎo)版圖的設(shè)計(jì)，將制造所要考慮的因素整合到設(shè)計(jì)階段，及早地解決后期可能出現(xiàn)的問(wèn)

3、題，有效地避免了引起熱點(diǎn)的版圖結(jié)構(gòu)；對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)單元進(jìn)行DFM優(yōu)化，并且采用光學(xué)仿真技術(shù)優(yōu)化單元結(jié)構(gòu)，從而更有利于OPC技術(shù)的實(shí)施，在很大程度上提高單元庫(kù)的可制造性。對(duì)優(yōu)化后的單元版圖進(jìn)行了參數(shù)提取，建立了完整的單元庫(kù)模型，包括：符號(hào)庫(kù)、仿真庫(kù)、綜合庫(kù)、布局布線(xiàn)庫(kù)等庫(kù)模型，實(shí)現(xiàn)了對(duì)IC設(shè)計(jì)流程的支撐。最后，對(duì)40 nm可制造標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)進(jìn)行了驗(yàn)證。
　　本文設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的40 nm可制造標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)不僅在功能、時(shí)序、面積、功耗方面都能滿(mǎn)足