版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、本文設(shè)計(jì)一種標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)功能檢測(cè)模塊,實(shí)現(xiàn)了對(duì)0.35um標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)進(jìn)行物理驗(yàn)證,保證其中的標(biāo)準(zhǔn)單元都具有良好的可制造性和邏輯功能的正確性,同時(shí)達(dá)到縮短單元庫(kù)驗(yàn)證周期,改善單元庫(kù)性能的目的。
本文對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)功能測(cè)試模塊的設(shè)計(jì)要求進(jìn)行了全面的分析,提出整體設(shè)計(jì)方案。重點(diǎn)介紹了如何利用由Synopsys公司與中芯國(guó)際共同開發(fā)的參考設(shè)計(jì)流程來(lái)實(shí)現(xiàn)從功能測(cè)試模塊RTL級(jí)的Verilog建模到版圖文件的生成,以及利用Perl腳本生成
2、測(cè)試圖形。最后利用Maverick測(cè)試系統(tǒng)對(duì)測(cè)試芯片加載測(cè)試圖形進(jìn)行驗(yàn)證。在設(shè)計(jì)過程中使用Design Compiler進(jìn)行邏輯綜合;使用IC Compiler進(jìn)行時(shí)鐘樹的綜合、布局及布線工作;使用Prime Time來(lái)進(jìn)行布局布線前后的網(wǎng)表靜態(tài)時(shí)序分析;使用Formality對(duì)布局布線后的網(wǎng)表進(jìn)行形式驗(yàn)證;使用VCS進(jìn)行帶延遲的動(dòng)態(tài)時(shí)序仿真。在動(dòng)態(tài)時(shí)序仿真過程中,以功能測(cè)試模塊輸入、輸出端口的電平情況作為基礎(chǔ),利用Perl腳本產(chǎn)生最終
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 基于40nm工藝的一種改進(jìn)型I-O標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)及ESD設(shè)計(jì).pdf
- 40納米工藝下標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的設(shè)計(jì).pdf
- 近閾值低漏電標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)設(shè)計(jì).pdf
- 深亞微米標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)設(shè)計(jì)與優(yōu)化.pdf
- 基于smic0.18μmeeprom工藝的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)設(shè)計(jì)
- 0.18μm抗輻射標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 40nm標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的移植與加固設(shè)計(jì).pdf
- 基于smic0.18umeeprom工藝的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)設(shè)計(jì)
- 近閾值高能效抗工藝偏差的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)設(shè)計(jì).pdf
- 應(yīng)用于低功耗技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù).pdf
- 面向標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的MOS器件大型可尋址測(cè)試芯片的研究、設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf
- 40nm可制造標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf
- 0.6v40nm低電壓標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)設(shè)計(jì)
- 基于CMOS工藝標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的擴(kuò)展與優(yōu)化.pdf
- 0.35um標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的設(shè)計(jì)技術(shù)研究及實(shí)現(xiàn)
- 一種雷達(dá)脈沖檢波及參數(shù)測(cè)試模塊的設(shè)計(jì).pdf
- 基于TSMC28nm工藝的低功耗標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)設(shè)計(jì).pdf
- smic0.18μm工藝抗輻射組合標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)設(shè)計(jì)
- 標(biāo)準(zhǔn)單元布圖及其庫(kù)單元版圖生成理論與算法研究.pdf
- 一種近場(chǎng)天線測(cè)試系統(tǒng)的中頻控制模塊設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論