超深亞微米標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的可制造性設(shè)計(jì)技術(shù)研究.pdf

1、隨著集成電路進(jìn)入超深亞微米階段,半導(dǎo)體制造工藝中廣泛采用了亞波長(zhǎng)光刻技術(shù),導(dǎo)致光刻后硅片表面實(shí)際印刷圖形和掩模圖形不再一致。這種集成電路版圖圖形轉(zhuǎn)移的失真,嚴(yán)重影響著最后產(chǎn)品的性能參數(shù)和集成電路的成品率。分辨率增強(qiáng)技術(shù)在亞波長(zhǎng)光刻條件下的集成電路設(shè)計(jì)制造中已普遍采用,并能夠部分解決集成電路的可制造性問(wèn)題。但隨著亞波長(zhǎng)光刻技術(shù)進(jìn)一步向極限邁進(jìn),不斷涌現(xiàn)的集成電路可制造性和成品率的新問(wèn)題,成為了當(dāng)前全世界集成電路工業(yè)界和學(xué)術(shù)界研究的重點(diǎn)。本

2、文從集成電路物理設(shè)計(jì)規(guī)則方面針對(duì)可制造性和成品率問(wèn)題展開(kāi)了分析研究。首先介紹了集成電路的設(shè)計(jì)和制造流程。其次分析了目前嚴(yán)重影響納米級(jí)集成電路成品率問(wèn)題的三種誤差因素和與物理設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的可制造性問(wèn)題。最后,本文針對(duì)亞波長(zhǎng)光刻條件下標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)設(shè)計(jì)中可能遇到的與物理設(shè)計(jì)相關(guān)的可制造性問(wèn)題,提出了新的工藝規(guī)則和解決方法設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)。使用分辨率增強(qiáng)技術(shù)和光刻模擬仿真,以邊緣放置錯(cuò)誤值,關(guān)鍵尺寸和版圖面積作為評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。實(shí)例表明,新的工藝準(zhǔn)則和方