內(nèi)匹配型Ku波段GaAs微波功率場效應(yīng)晶體管.pdf

1、主要研究了GaAs 微波功率場效應(yīng)晶體管的內(nèi)匹配技術(shù)。一個典型的內(nèi)匹配型GaAs功率器件由管芯、內(nèi)匹配輸入、輸出電路和管殼封裝組成，即將有源的管芯與無源的匹配元件裝配在標(biāo)準(zhǔn)化的管殼封裝內(nèi)，在特定的微波頻段內(nèi)實現(xiàn)功率放大。
　　 內(nèi)匹配技術(shù)的作用是使管芯之間、管芯各部分之間在信號幅度和相位上獲得平衡，提升管芯的輸入和輸出阻抗的實部，對參與內(nèi)匹配的管芯進(jìn)行功率分配和合成。內(nèi)匹配技術(shù)是微波技術(shù)在半導(dǎo)體功率器件制造中的應(yīng)用。論文首先介紹

2、了高電子遷移率晶體管的器件結(jié)構(gòu)、工作原理以及HEMT的漏極電流隨柵極電壓變化的I-V 特性為了利用CAD 技術(shù)進(jìn)行功率管的內(nèi)匹配設(shè)計工作，需要得到功率管管芯在大信號狀態(tài)下的阻抗。論文著重研究了HEMT的大信號模型及其建模技術(shù)。利用偏置相關(guān)的小信號S 參數(shù)和脈沖I-V 測試數(shù)據(jù)，提取了等效電路模型中的非線性本征參數(shù)和寄生參數(shù)。采用人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)作為非線性本征參數(shù)的擬合方法，采用LM 算法訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)并建立了HEMT的大信號模型。最后利用所建