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文檔簡介
1、主要研究了GaAs 微波功率場效應晶體管的內(nèi)匹配技術。一個典型的內(nèi)匹配型GaAs功率器件由管芯、內(nèi)匹配輸入、輸出電路和管殼封裝組成，即將有源的管芯與無源的匹配元件裝配在標準化的管殼封裝內(nèi)，在特定的微波頻段內(nèi)實現(xiàn)功率放大。
內(nèi)匹配技術的作用是使管芯之間、管芯各部分之間在信號幅度和相位上獲得平衡，提升管芯的輸入和輸出阻抗的實部，對參與內(nèi)匹配的管芯進行功率分配和合成。內(nèi)匹配技術是微波技術在半導體功率器件制造中的應用。論文首先介紹
2、了高電子遷移率晶體管的器件結構、工作原理以及HEMT的漏極電流隨柵極電壓變化的I-V 特性為了利用CAD 技術進行功率管的內(nèi)匹配設計工作，需要得到功率管管芯在大信號狀態(tài)下的阻抗。論文著重研究了HEMT的大信號模型及其建模技術。利用偏置相關的小信號S 參數(shù)和脈沖I-V 測試數(shù)據(jù)，提取了等效電路模型中的非線性本征參數(shù)和寄生參數(shù)。采用人工神經(jīng)網(wǎng)絡作為非線性本征參數(shù)的擬合方法，采用LM 算法訓練神經(jīng)網(wǎng)絡并建立了HEMT的大信號模型。最后利用所建
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