Si基鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備與特性研究.pdf_第1頁(yè)
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1、該文以Si基非破壞性讀出鐵電存儲(chǔ)器的制備與特性研究為目的,通過(guò)制備高質(zhì)量Si基鐵電薄膜,在研究MFS(Metal-Ferroelectric-Semiconductor)結(jié)構(gòu)異質(zhì)結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上,結(jié)合半導(dǎo)體平面工藝,成功制備了具有一定存儲(chǔ)特性的Ag/BIT(Bi<,4>Ti<,3>O<,12>)柵FFET(FerroelectricFiesdEffectTransistor),并對(duì)其特性進(jìn)行了研究.主要研究?jī)?nèi)容如下:1、采用Sol-Ge

2、l工藝,分別在Pt/Ti/SiO<,2>/Si及Si兩種襯底上制備了BIT鐵電薄膜.2、對(duì)不同襯底上BIT薄膜的鐵電性能及其差異進(jìn)行了測(cè)試與深入分析.3、研究了PZT/BIT/p-Si(PZT:Pb(Zr<,0.52>Ti<,0.48>)O<,3>)異質(zhì)結(jié)的鐵電性能、疲勞特性、I-V特性、C-V特性.4、對(duì)Au/PZT/BIT/p-Si異質(zhì)結(jié)的可靠性進(jìn)行了研究.測(cè)試包括疲勞、電容保持特性、環(huán)境溫主及光輻照對(duì)二極管性能的影響.5、從器件應(yīng)

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