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文檔簡介
1、SiC材料由于具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高飽和電子漂移速度、較大的熱導率等優(yōu)良特性,因此成為制作高溫、高頻、大功率器件的理想半導體材料.該文主要研究SiC場效應晶體管的特性和制作工藝.論文分析建立了4H-SiCMOSFET和MESFET器件的結構模型和物理模型,采用二維器件模擬軟件MEDICI對4H-SiCMOSFET和MESFET的輸出特性進行了模擬分析,研究了溫度和結構參數對器件特性的影響,表明兩種器件的擊穿特性均沒有負阻現象,擊
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