ZnO納米線場效應晶體管的制備及IV特性研究.pdf

1、氧化鋅(ZnO)納米線的制備和特性研究是當今納米科技最重要的研究熱點。本論丈在調(diào)研總結(jié)國內(nèi)外半導體材料ZnO納米線的制備和性質(zhì)，研究文獻的基礎上，采用化學氣相沉積(CVD)法，制備了高取向的ZnO納米線，并研究分析了ZnO納米線制備工藝，生長機理，及相關特性研究，制備了ZnO納米線場效應晶體管。對制作的不情況下的場效應晶體管，進行了IV特性曲線的研究。獲得了一些研究結(jié)果。
　　 1.采用CVD法，以摩爾比為1：1：0.1的ZnO

2、，石墨，Zn粉末為原料，控制為1050℃條件下，在鍍有金膜的Si片上生長出，結(jié)構(gòu)均勻、取向性良好的ZnO納米線，對上述制備的樣品利用透射電鏡(TEM)，掃描電子電鏡(SEM)，X射線衍射(XRD)，光致發(fā)光(PL)等測試手段進行相應的分析和表征。
　　 2.在Si片上熱氧化生長一層SiO2絕緣層，利用熱蒸發(fā)的方法在Si片上鍍制金屬薄膜，利用傳統(tǒng)的離子刻蝕技術(shù)，在金屬膜上刻飾出寬度大約為5，7，10μm的隔離溝道，分別作為源極和漏

3、極，背面Si層作為柵極。采用靜電探針和原子力探針技術(shù)，將單根ZnO納米線搭接在溝道兩端，構(gòu)建出ZnO納米線絕緣柵場效應晶體管，并對不同情況下的場效應晶體管進行Ⅳ特性曲線的測定。
　　 3.測試發(fā)現(xiàn)，ZnO納米線與金屬溝道的接觸特性是影響ZnO納米線場效應管IV特性的主要因素。直徑較小的納米線與溝道膜間較易形成電阻較小的肖特基接觸，其IV曲線都呈較規(guī)則的對稱分布特性。而直徑較大納米線組裝的器件，因與金屬溝道接觸不易穩(wěn)定，可能在兩個