ZnO納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及IV特性研究.pdf

1、氧化鋅(ZnO)納米線的制備和特性研究是當(dāng)今納米科技最重要的研究熱點(diǎn)。本論丈在調(diào)研總結(jié)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體材料ZnO納米線的制備和性質(zhì)，研究文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上，采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法，制備了高取向的ZnO納米線，并研究分析了ZnO納米線制備工藝，生長(zhǎng)機(jī)理，及相關(guān)特性研究，制備了ZnO納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管。對(duì)制作的不情況下的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，進(jìn)行了IV特性曲線的研究。獲得了一些研究結(jié)果。
　　 1.采用CVD法，以摩爾比為1：1：0.1的ZnO

2、，石墨，Zn粉末為原料，控制為1050℃條件下，在鍍有金膜的Si片上生長(zhǎng)出，結(jié)構(gòu)均勻、取向性良好的ZnO納米線，對(duì)上述制備的樣品利用透射電鏡(TEM)，掃描電子電鏡(SEM)，X射線衍射(XRD)，光致發(fā)光(PL)等測(cè)試手段進(jìn)行相應(yīng)的分析和表征。
　　 2.在Si片上熱氧化生長(zhǎng)一層SiO2絕緣層，利用熱蒸發(fā)的方法在Si片上鍍制金屬薄膜，利用傳統(tǒng)的離子刻蝕技術(shù)，在金屬膜上刻飾出寬度大約為5，7，10μm的隔離溝道，分別作為源極和漏

3、極，背面Si層作為柵極。采用靜電探針和原子力探針技術(shù)，將單根ZnO納米線搭接在溝道兩端，構(gòu)建出ZnO納米線絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，并對(duì)不同情況下的場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行Ⅳ特性曲線的測(cè)定。
　　 3.測(cè)試發(fā)現(xiàn)，ZnO納米線與金屬溝道的接觸特性是影響ZnO納米線場(chǎng)效應(yīng)管IV特性的主要因素。直徑較小的納米線與溝道膜間較易形成電阻較小的肖特基接觸，其IV曲線都呈較規(guī)則的對(duì)稱分布特性。而直徑較大納米線組裝的器件，因與金屬溝道接觸不易穩(wěn)定，可能在兩個(gè)