基于TWB-TCAD下的亞微米nMOS小尺寸效應(yīng)的抑制方案優(yōu)化研究.pdf

1、首先,分析了集成電路虛擬制造技術(shù),對(duì)傳統(tǒng)的集成電路制造系統(tǒng)和集成電路虛擬制造系統(tǒng)確定最佳工藝條件的方法進(jìn)行了對(duì)比.介紹了集成電路制造工藝仿真系統(tǒng)TSUPREM-4和半導(dǎo)體器件物理特性仿真系統(tǒng)Medici的仿真功能,分析了TSUPREM-4和Medici仿真系統(tǒng)所采用的仿真模型.介紹了集成電路虛擬制造系統(tǒng)Taurus Workbench,并分析了Taurus Workbench 系統(tǒng)的運(yùn)行機(jī)制和優(yōu)化機(jī)制.Taurus Workbench系

2、統(tǒng)集成了TSUPREM-4仿真系統(tǒng)和Medici仿真系統(tǒng),是一個(gè)集成化的集成電路TCAD一體化仿真與優(yōu)化平臺(tái).根據(jù)亞微米CMOS結(jié)構(gòu)的nMOS工藝的小尺寸效應(yīng),討論了亞微米CMOS結(jié)構(gòu)的nMOS的工藝流程和器件結(jié)構(gòu)的新特點(diǎn).對(duì)穿通效應(yīng)進(jìn)行了理論分析,提出了抑制穿通效應(yīng)的工藝;給出了調(diào)整閾值電壓的工藝;著重對(duì)熱載流子效應(yīng)采用的輕摻雜漏(LDD)的器件結(jié)構(gòu).采用TSUPREM-4系統(tǒng)和Medici系統(tǒng)聯(lián)機(jī)仿真的方式,探討和分析了采用LDD結(jié)