抗反射介質(zhì)膜在深亞微米ULSI的研究和優(yōu)化.pdf

1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文抗反射介質(zhì)膜在深亞微米ULSI的研究和優(yōu)化姓名：李晗玲申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：材料工程指導(dǎo)教師：鄭國祥劉艷平20070930復(fù)旦大學(xué)工程碩士學(xué)位論文摘要隨著集成電路微型化、高速度、低功耗、高集成度的發(fā)展，高精度的光刻技術(shù)成為了一道重要的環(huán)節(jié)，同時為高精度光刻技術(shù)鋪平道路的抗反射膜工藝就成了必然選擇。介質(zhì)抗反射層(D觚℃)作為抗反射膜的一種，是利用含有氮元素的氣體材料與硅烷氣體反應(yīng)，使生成物的物質(zhì)氮氧化硅(SION)中

2、含有硅、氧、氮等元素，起到既保證光線透過的折射效應(yīng)，又盡量避免光線的反射效應(yīng)的作用，足以滿足O18微米甚至O13微米集成電路的要求；但由于DARC本身的折射率，反射率，膜厚等指標(biāo)對光學(xué)參數(shù)的影響起著至關(guān)重要的作用，選定不當(dāng)會造成達(dá)不到光刻技術(shù)的要求，嚴(yán)重時會直接影響到器件性能甚至導(dǎo)致器件失效。因此，研究開發(fā)DARC薄膜，使其滿足集成電路實(shí)際生產(chǎn)工藝的要求具有非常重要的意義。本論文采用PECVD的方法制備了抗反射的DARC膜，并研究和解決

3、了DARC膜在設(shè)計，開發(fā)本身參數(shù)和應(yīng)用過程中存在的實(shí)際問韙，使其成功地應(yīng)用在018和013微米超大規(guī)模集成電路制造中：根據(jù)光刻技術(shù)對DARC膜的要求，首先探討了在單項(xiàng)工藝性能參數(shù)上符合要求的DARC膜的一般設(shè)計和開發(fā)方法；然后通過對兩種DARC膜進(jìn)行實(shí)驗(yàn)設(shè)計(DOE)方法，優(yōu)化和調(diào)整工藝參數(shù)(如氣體流量、氣壓等)，研究各參數(shù)對工藝性能的影響，探討了如何使其具有工藝穩(wěn)定和可靠等特點(diǎn)，以滿足大生產(chǎn)的要求；針對在光刻技術(shù)過程中存在的光刻膠倒角