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文檔簡介
1、半導體的可靠性物理也稱為失效物理,失效分析技術(shù)在提高集成電路的可靠性方面具有重要作用.隨著現(xiàn)代集成電路集成度的不斷提高,失效分析的難度越來越大,必須要有更加先進準確的設(shè)備和技術(shù),配合合理的失效分析步驟,才能提高分析的成功率.本文借助EDX、SEM、SAM、Light-emi ssion等分析手段,觀察總結(jié)了集成電路的常見失效機理和失效模式,并以實際案例輔助說明,目的是找出最佳的失效分析方案.SAM是集成電路封裝失效分析不可缺少的技術(shù),它
2、能夠快速無損的發(fā)現(xiàn)封裝內(nèi)部的分層、空洞以及貼片的失效.只有充分掌握了芯片封裝的失效信息,才能準確的制定隨后的失效分析步驟. 根據(jù)wafer的工藝不同,集成電路刻蝕剝層的方法和步驟也不同.本文討論并且總結(jié)了對08單片機進行化學刻蝕的試劑的制備方法,并且給出了刻蝕時間和流程.保證每層都能夠徹底的剝除并且對下層的影響很小.Mini-tester對單片機各個模塊的各種模式下的全面測試,是失效分析中的重要環(huán)節(jié).只有這樣才能在對樣品進行物
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