低頻重復(fù)經(jīng)顱磁刺激對腦梗死患者運動功能恢復(fù)的影響.pdf

1、目的：探討低頻閾上強度的重復(fù)經(jīng)顱磁刺激(repetitive transcranial magneticstimulation，rTMS)對于腦梗死后運動誘發(fā)電位潛伏期、波幅及中樞運動傳導(dǎo)時間的影響。 方法：收集2007年5月至2008年4月入住我院的腦梗死患者30例，隨機分為三組，刺激腦梗死患側(cè)腦M1區(qū)組，刺激健側(cè)腦M1區(qū)組，以及自然恢復(fù)組。磁刺激參數(shù)為0.5Hz，70％輸出強度(3.0T)，每天9個序列，一個序列為100脈沖

2、，序列間隔為2s，連續(xù)刺激10天。在實驗第1天、第10天及第40天對受試者進行神經(jīng)電生理檢查，記錄其患側(cè)腦區(qū)的運動誘發(fā)電位潛伏期、波幅及中樞運動傳導(dǎo)時間。 結(jié)果：第10天時刺激患側(cè)組潛伏期、波幅及中樞運動傳導(dǎo)時間與治療前及自然恢復(fù)組比較均存在統(tǒng)計學(xué)差異(P<0.05)，且在第40天時這種差異更為明顯(P<0.01)；刺激健側(cè)組潛伏期、波幅及中樞運動傳導(dǎo)時間與自然恢復(fù)組比較變化不具有統(tǒng)計學(xué)意義(P>0.05)，但較自然恢復(fù)組存在較

3、為明顯的恢復(fù)趨勢。 結(jié)論：低頻閾上rTMS作用于兩側(cè)腦M1區(qū)均可增加患側(cè)腦皮層興奮性，作用于患側(cè)M1區(qū)時影響的最為顯著。 第二部分 目的：探討低頻閾上強度的重復(fù)經(jīng)顱磁刺激(repetitive transcranial magneticstimulation，rTMS)對于腦梗死后NIHSS、ADL評分及腦代謝的影響。 方法：收集2007年5月至2008年4月入住我院的腦梗死患者30例，隨機分為三組，刺激

4、腦梗死患側(cè)腦M1區(qū)組，刺激健側(cè)腦M1區(qū)組，以及自然恢復(fù)組。磁刺激參數(shù)為0.5Hz，70％輸出強度(3.0T)，每天9個序列，一個序列為100脈沖，序列間隔為2s，連續(xù)刺激10天。在實驗第1天、第10天及第40天對受試者進行臨床功能評分，記錄NIHSS、ADL評分。每組隨機挑選1名患者在實驗第1天和第40天進行MRS分析，記錄NAA，Cho，Cr及Lac波峰圖形。 結(jié)果：第10天時刺激患側(cè)組與rTMS治療前及自然恢復(fù)組比較NIHS

5、S評分出現(xiàn)顯著意義的降低(P<0．05)，ADL評分出現(xiàn)顯著意義的升高(P<0.01)，在第40天時這種變化更為明顯(P<0.01)；刺激健側(cè)組較治療前及自然恢復(fù)組NIHSS評分也出現(xiàn)明顯降低(P<0.05)，ADL評分明顯升高(P<0.01)。MRS圖像顯示第40天時各組NAA，Cho波峰有不同程度升高，Lac波峰有不同程度降低，其中刺激患側(cè)組變化最為明顯，刺激健側(cè)組次之，自然恢復(fù)組變化最小。 結(jié)論：低頻閾上rTMS作用于兩側(cè)