腦缺血誘導(dǎo)小鼠大腦皮層GABA能神經(jīng)元損傷機(jī)理的研究.pdf

1、研究目的：腦缺血通過損傷GABA能抑制性神經(jīng)元導(dǎo)致興奮性神經(jīng)毒。本實(shí)驗(yàn)擬研究腦缺血誘導(dǎo)小鼠大腦皮層GABA能神經(jīng)元損傷的機(jī)理，明確細(xì)胞內(nèi)鈣升高和酸中毒在GABA能神經(jīng)元功能損傷中的作用。
　　研究方法：取生后17-21天的FVB-Tg（Gad GFP)4570Swn/J小鼠行異氟烷麻醉，迅速將大腦分離，做冠狀切片(400μm)。將腦片放置于充分氧合的人工腦脊液(oxygenated artificial cerebrospinal

2、 fluid, ASCF)，在25?C下孵育1-2小時(shí)后轉(zhuǎn)移至灌流槽，然后在31?C下以2ml/min的速度對(duì)腦片進(jìn)行灌流。采用IR-DIC顯微鏡(Nikon E600FN)選擇大腦皮層GABA能神經(jīng)元，運(yùn)用Axoclamp-2B放大器全細(xì)胞記錄模式記錄大腦皮層 GABA能神經(jīng)元?jiǎng)幼麟娢坏拈撾娢?threshold potentials, Vts-Vr)和絕對(duì)不應(yīng)期（absolute refractory periods,ARP），電信

3、號(hào)輸入pClamp9.2軟件獲取和分析群集發(fā)放的動(dòng)作電位間距(inter-spike interval, ISI)和動(dòng)作電位峰時(shí)程標(biāo)準(zhǔn)差(standard deviation of spike timing, SDST)。將腦片的灌流速度由2ml/min減慢至0.2ml/min，模擬缺血，觀察在此過程中大腦皮層 GABA能神經(jīng)元內(nèi)在特性的變化；通過記錄電極分別向細(xì)胞內(nèi)微量灌流Adenophostin-A誘導(dǎo)胞內(nèi)鈣升高或酸性電極溶液(pH

4、6.0-6.5)誘導(dǎo)細(xì)胞酸中毒，觀察鈣離子濃度的增加和細(xì)胞內(nèi)酸中毒對(duì)大腦皮層GABA能神經(jīng)元內(nèi)在特性的影響，探討細(xì)胞內(nèi)高鈣和酸中毒在缺血性神經(jīng)細(xì)胞損傷中的作用。
　　實(shí)驗(yàn)結(jié)果：與正常對(duì)照組相比，腦缺血使得大腦皮層GABA能神經(jīng)元產(chǎn)生群集動(dòng)作電位容量和精確性降低(P<0.05)，這些改變與腦缺血誘導(dǎo)動(dòng)作電位不應(yīng)期延長(zhǎng)(P<0.01)和閾電位升高(P<0.05)有關(guān)。細(xì)胞內(nèi)鈣升高和酸中毒分別導(dǎo)致大腦皮層GABA能神經(jīng)元?jiǎng)幼麟娢坏陌l(fā)放容