電針對腦缺血再灌注損傷大鼠神經(jīng)細胞凋亡及相關(guān)營養(yǎng)因子的研究.pdf

1、目的研究電針“大椎”、“內(nèi)關(guān)”對局灶性腦缺血再灌注大鼠腦組織神經(jīng)細胞凋亡及神經(jīng)生長因子(NGF)、膠質(zhì)細胞源性神經(jīng)營養(yǎng)因子(GDNF)表達的調(diào)節(jié)作用。 方法將80只SD大鼠隨機分為10組：正常組、假手術(shù)24h、48h、72h組、缺血24h、48h、72h組、電針24h、48h、72h組。采用改良線栓大腦中動脈法制備局灶性腦缺血再灌注模型，觀察大鼠在造模及電針前后的神經(jīng)功能改變；運用原位細胞凋亡檢測法(TUNEL染色)觀察各組大鼠

2、海馬神經(jīng)細胞凋亡及電針的影響；運用免疫組織化學技術(shù)(SABC法)觀察電針對腦組織NGF及GDNF表達的影響。 結(jié)果1大鼠造模后模型組、電針組均不同程度的出現(xiàn)神經(jīng)功能缺損的體征；神經(jīng)功能評分的結(jié)果顯示，與同時段模型組相比較，各電針組均有顯著性差異(P＜0.05，P＜0.01)，電針組內(nèi)比較，72h組與24h組相比有顯著性差異(P＜0.01)，表明電針刺激能有效的改善腦缺血大鼠的神經(jīng)功能，有累積效應(yīng)。 2TUNEL染色法檢測

3、：染色陽性細胞數(shù)量上，模型各組與正常組、假手術(shù)組比較有顯著性差異(P＜0.01)。電針48h組中，缺血側(cè)海馬區(qū)內(nèi)可見TUNEL較多，達到高峰，電針72h組TUNEL染色陽性細胞減少。電針組與同時段模型組相比較，均有顯著性差異(P＜0.05)。表明電針可有效抑制局灶性腦缺血后神經(jīng)細胞的凋亡。 3圖像分析缺血側(cè)腦組織NGF免疫反應(yīng)陽性細胞，結(jié)果顯示：與假手術(shù)組比較，同時段模型各組大鼠缺血海馬區(qū)NGF免疫陽性表達細胞數(shù)量明顯增多，均有

4、顯著性差異(P＜0.01)，表明缺血后腦組織NGF的表達有所提高，其中48h組達高峰；與同時段模型各組比較，電針各組NGF表達均有顯著性差異(P＜0.05，P＜0.01)，表明電針刺激能明顯增強局灶性腦缺血大鼠腦組織NGF的表達。 4圖像分析缺血側(cè)腦組織GDNF免疫反應(yīng)陽性細胞的結(jié)果表明，與假手術(shù)組相比較，同時段模型各組GDNF表達明顯增強，有顯著性差異(P＜0.01)，其中24h組是缺血再灌注后一個高表達，48h、72h逐漸減

5、弱；與同時段模型組相比較，電針各組在GDNF免疫陽性表達在數(shù)量上明顯增加，差異有統(tǒng)計學意義(P＜0.05，P＜0.01)。表明電針刺激進一步提高局灶性腦缺血大鼠腦組織表達GDNF。 結(jié)論腦缺血再灌注損傷引起大鼠明顯的神經(jīng)功能缺損體征，缺血海馬區(qū)神經(jīng)細胞存在細胞凋亡，而電針刺激督脈“大椎”穴、心包經(jīng)“內(nèi)關(guān)”穴可以明顯改善大鼠神經(jīng)功能，有效抑制缺血再灌注后腦神經(jīng)細胞凋亡的發(fā)生，其機制之一是通過進一步上調(diào)神經(jīng)細胞表達分泌NGF、GDN