電針干預(yù)創(chuàng)傷后應(yīng)激障礙患者腦功能改變的靜息態(tài)磁共振影像研究.pdf

1、目的：
　　此研究以創(chuàng)傷后應(yīng)激障礙患者和健康志愿者為載體，以靜息態(tài)功能磁共振成像（Resting-state fMRI）為技術(shù)手段，以低頻振幅算法分析電針對創(chuàng)傷后應(yīng)激患者局部腦功能的影響，研究電針治療創(chuàng)傷后應(yīng)激障礙（post-traumatic stress disorder，PTSD）的可能機制，為電針治療PTSD的臨床運用提供更為充分的科學(xué)依據(jù)。
　　方法：
　　1.以10例PTSD患者及12例健康志愿者作為研究對

2、象，運用靜息態(tài)功能磁共振掃描，用低頻振幅分析方法對磁共振圖像進行比較，觀察PTSD患者與正常對照者靜息狀態(tài)下腦功能的差異。
　　2.以10例PTSD患者及12例健康志愿者作為研究對象，對PTSD患者組進行36次電針治療，在電針治療前后行 PTSD臨床監(jiān)測量表（the clinical administered PTSD scale，CAPS）、焦慮自評量表（self-rating anxiety scale，SAS）、抑郁自評量表

3、（self-rating depression scale，SDS）評分及靜息態(tài)功能磁共振掃描，用低頻振幅分析方法對電針治療前后及與健康受試者的磁共振圖像進行比較，觀察 PTSD患者電針治療前后及治療后與健康志愿者相比靜息狀態(tài)下腦功能的差異。
　　結(jié)果：
　　1. P T S D患者治療前后C A P S、S A S、S D S評分均存在統(tǒng)計學(xué)意義（p<0.05）。
　　2.與正常對照組相比，PTSD患者左側(cè)海馬旁回、

4、右側(cè)顳中回、左側(cè)角回低頻振幅（amplitude of low frequency fluctuation，ALFF）值升高；右側(cè)小腦、右側(cè)梭狀回、右側(cè)楔葉ALFF值降低（p<0.001，體素大于20）。
　　3.與電針治療前相比，PTSD患者電針治療后左側(cè)枕上回、右側(cè)枕中回ALFF值升高；左側(cè)小腦、左側(cè)梭狀回、右側(cè)顳中回、左側(cè)楔前葉、左側(cè)額中回ALFF值降低（p<0.001，體素大于20）；
　　4.與健康志愿者相比，PT

5、SD患者電針治療后左側(cè)前扣帶回、右側(cè)角回、左側(cè)頂葉 ALFF值升高；左側(cè)小腦、左側(cè)枕中回 ALFF值降低（p<0.001，體素大于20）。
　　結(jié)論：
　　1.電針治療PTSD臨床癥狀改善有積極意義，但樣本量較少需要進一步研究。
　　2.PTSD患者存在多個腦區(qū)低頻振幅的異常，主要集中在邊緣系統(tǒng)、頂葉、顳葉、小腦、枕葉等腦區(qū)，其中大部分與腦默認網(wǎng)絡(luò)相關(guān)腦區(qū)重合，進一步證實了上述腦區(qū)的異?；顒釉赑TSD病理機制的作用。<