0.13μm堆疊式動態(tài)隨機存儲器光刻工藝優(yōu)化的研究

1、目錄摘要…Abstract...................……O二..................……......................……..……..…….....……..………3第一章堆疊式動態(tài)隨機存儲器(Stack第一節(jié)什么是動態(tài)隨機存儲器二DRAM)的簡介....……5......……︸、︺......第二節(jié)堆疊式DRAM與溝槽式DRAM的比較.….…..…….….…第三節(jié)光刻工藝的介紹……7第四節(jié)光刻技術(shù)的

2、發(fā)展……6第二章工藝中層與層對準精度的提升……O第一節(jié)工藝過程中各層之間對準原理，……O第二節(jié)影響精確套準的因素……4第三節(jié)優(yōu)化套準和量測標記的質(zhì)量來提升對準精度……5第三章工藝中BitLine圖形倒塌(Peeling)問題的解決…，…，……8第一節(jié)工藝中BitLine圖形倒塌問題的描述……8第二節(jié)造成BitLine圖形倒塌的原因分析……8第三節(jié)針對這種工藝缺陷的解決方法……9第四章存儲單元內(nèi)輕摻雜layerCLD掩蔽失效問題的解決……

3、33第一節(jié)CLD(CelLightlyDoPing)掩蔽失效問題的描述……33第二節(jié)CLD掩蔽失效形成的原因分析……34第三節(jié)通過工藝的優(yōu)化解決問題……7第五章曝光單元內(nèi)的固定某一欄圖形發(fā)生(Bycofuln)偏焦問題的解決…9第一節(jié)曝光單元內(nèi)的固定某一欄圖形發(fā)生偏焦問題的描述……39第二節(jié)曝光單元內(nèi)的固定某一欄圖形發(fā)生偏焦問題的形成原因……9第三節(jié)曝光單元內(nèi)的固定某一欄圖形發(fā)生偏焦問題的解決方法……40第四節(jié)PSFM新的焦距偏差監(jiān)測系