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1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文0.18μm高壓DEMOS器件熱載流子所致襯底電流的研究姓名：劉博申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：軟件工程（集成電路）指導(dǎo)教師：程秀蘭20081201II電場的主要工藝方法，即利用多次摻雜與退火以降低漂移區(qū)表面濃度，以及漂移區(qū)斜角離子注入以使溝道耗盡結(jié)區(qū)濃度變緩；同時，本文基于TCAD仿真模擬結(jié)果，還提出一種源柵組合場板結(jié)構(gòu)，可進一步降低漂移區(qū)表面電場，尤其能大大降低漏端電場。關(guān)鍵詞：關(guān)鍵詞：高壓器件，擴展漏端MOS器件
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