應(yīng)用于存儲(chǔ)器加固的ECC算法研究與實(shí)現(xiàn).pdf

1、集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，在單個(gè)芯片上集成的系統(tǒng)也越來(lái)越復(fù)雜，在片上系統(tǒng)中需要的存儲(chǔ)器諸如SRAM、FLASH的容量也越來(lái)越大;同時(shí)集成電路的工作環(huán)境也越來(lái)越復(fù)雜，環(huán)境中存在著各種輻射源，加之集成電路工藝的不斷發(fā)展，使得半導(dǎo)體芯片極易受到外部的干擾而導(dǎo)致功能失效。工作在太空中的集成電路芯片極易受到各種高能粒子的干擾出現(xiàn)單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)即SEU(Signal EventUpset);由于低功耗的需求，使得集成系統(tǒng)的工作電壓越來(lái)越低，使得電路在同

2、樣輻射環(huán)境下對(duì)外界的抗干擾能力更弱，存儲(chǔ)器中出現(xiàn)多比特反轉(zhuǎn)MBU(MultipleBit Upset)的概率就更大。針對(duì)單粒子反轉(zhuǎn)的加固方法將不再適用，此時(shí)，用于糾正多位錯(cuò)誤的ECC（Error Control Code）碼發(fā)揮了至關(guān)重要的作用。在工業(yè)民用領(lǐng)域也是如此，集成電路也容易受到電磁輻射的干擾而出現(xiàn)功能失效。事實(shí)表明，無(wú)論是在航天領(lǐng)域還是在民用領(lǐng)域，對(duì)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器采用差錯(cuò)控制編碼(ECC)是提高芯片可靠性的行之有效的措施。

3、r>　　文章首先介紹了各種固態(tài)存儲(chǔ)器，分析了SRAM和FLASH的結(jié)構(gòu)以及出錯(cuò)機(jī)理，從而引出加入ECC糾錯(cuò)碼的必要性。
　　其次，介紹了ECC的研究背景與發(fā)展前景，對(duì)應(yīng)用于存儲(chǔ)器加固的ECC算法進(jìn)行了研究，介紹了二元域的基礎(chǔ)理論以及運(yùn)算，包括應(yīng)用于糾正單比特錯(cuò)誤的Hamming碼，應(yīng)用于糾正多位錯(cuò)誤的BCH碼以及符號(hào)糾錯(cuò)碼RS碼。分析了BCH碼、RS碼的構(gòu)造方式以及編譯碼算法。
　　最后，對(duì)各種編碼方法進(jìn)行了軟件matlab