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1、中樞神經(jīng)系統(tǒng)的損傷特別是脊柱、脊椎的損傷尤為普遍,且給患者帶來巨大痛苦。隨著微電子學(xué)和神經(jīng)生物學(xué)等相關(guān)領(lǐng)域的飛速發(fā)展,可植入式芯片技術(shù)開始應(yīng)用于神經(jīng)疾病的研究與治療。本文中的電壓激勵(lì)神經(jīng)信號(hào)再生系統(tǒng)探索了利用微電子學(xué)的方法為受損神經(jīng)建立輔助的信號(hào)通路,從而探索治療神經(jīng)損傷新方法。 在本課題組成員利用分立器件設(shè)計(jì)的4通道電壓激勵(lì)神經(jīng)信號(hào)再生電子系統(tǒng)成功應(yīng)用于動(dòng)物實(shí)驗(yàn)再生了神經(jīng)信號(hào)的基礎(chǔ)上,采用相同原理,利用CSMC0.5μm CM
2、OS工藝設(shè)計(jì)了多通道的神經(jīng)信號(hào)再生電路。 電壓激勵(lì)神經(jīng)信號(hào)再生電路由神經(jīng)信號(hào)檢測(cè)電路,功能電激勵(lì)電路和緩沖電路組成。檢測(cè)電路通過與神經(jīng)電極相接的阻容耦合網(wǎng)絡(luò),用低噪聲、高共模抑制比的儀器放大器從神經(jīng)的上端探測(cè)神經(jīng)信號(hào)。激勵(lì)電路中,采用反相運(yùn)算放大器來進(jìn)一步放大神經(jīng)信號(hào),放大的神經(jīng)信號(hào)通過輸出緩沖電路來激勵(lì)受損神經(jīng)的下端神經(jīng),實(shí)現(xiàn)了神經(jīng)信號(hào)的傳遞,從而實(shí)現(xiàn)神經(jīng)信號(hào)再生的功能。 單通道的芯片面積為0.80mm×0.72mm。
3、電路工作于±2.5V電壓之下,增益利用片外電阻調(diào)節(jié),仿真顯示電路增益58dB~110dB可調(diào),增益帶寬積達(dá)到7.68MHz,3dB帶寬大于4kHz,功耗3.89mW,輸出電阻達(dá)到6.2Ω。利用單通道芯片采用多芯片封裝技術(shù)研制了4通道電壓激勵(lì)神經(jīng)信號(hào)再生微模塊,并進(jìn)行了測(cè)試,電路各項(xiàng)指標(biāo)符合設(shè)計(jì)要求。 為了應(yīng)用于更多通道的神經(jīng)信號(hào)再生,采用相同的電路結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)制作了6通道電壓激勵(lì)神經(jīng)信號(hào)再生電路芯片,6通道芯片面積為1.9mm×1
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