耐多藥結核桿菌基因突變檢測膜芯片的研究.pdf

1、本研究以結核分枝桿菌耐藥基因katG、inhA、oxyR-ahpC、rpoB、rpsL、rrs、embB、pncA、gyrA為靶點，自行設計擴增引物與寡核苷酸探針，通過聚合酶鏈式反應一反向點雜交法，構建結核分枝桿菌多耐藥基因檢測膜芯片. 目的：構建結核分枝桿菌多耐藥基因檢測膜芯片，建立一種快速、簡便的結核桿菌耐藥性的檢測方法。 方法：1、通過文獻查詢結核桿菌耐藥基因katG、inhA、oxyR-ahpC、rpoB、rps

2、L、rrs、embB、pncA、gyrA常見引起耐藥的突變位點，并統計與分析，設計12對引物擴增包含上述常見耐藥突變位點的耐藥基因片段，設計59條寡核苷酸檢測探針，在NCBI上BLAST分析引物及探針的特異性； 2、利用PCR技術擴增結核桿菌耐藥基因，從退火溫度、引物濃度等兩方面探討單基因PCR條件的優(yōu)化；從退火溫度、引物濃度、Buffer加入量等三方面探討多重PCR條件的優(yōu)化； 3、利用膜芯片雜交技術檢測PCR擴增產

3、物的耐藥情況，并從雜交溫度、探針濃度、雜交時間、洗膜時間、顯色時間五方面來進行雜交條件的優(yōu)化研究。 結果：1、BLAST分析結果顯示引物及探針序列均特異； 2、確定單基因PCR的最適條件為：退火溫度為61℃，引物濃度為10μ M、力口入量0.5 μ 1； 3、確定多重PCR的最適條件為：退火溫度為61℃，引物濃度為10 μM、加入量為0.5～0.8 μ 1，10×Buffer加入量為2 μ 1或4 μ 1；

4、 4、雜交的最適條件為：雜交溫度為50℃；探針濃度為5 μ M；雜交時間為4h；洗膜溫度及時間為50℃、5～8min；顯色時間20min。 結論：1、建立結核桿菌耐藥基因多重PCR反應體系，可在相同的反應條件下同時擴增9個抗結核一線藥物耐受基因； 2、初步構建了結核桿菌多耐藥基因檢測膜芯片； 3、膜芯片以尼龍膜為載體，手工點膜，無需特殊的芯片點樣儀，并以生物素代替熒光、放射性同位素作為標記，通過酶聯顯色系統進行