基于Mix-IS算法的SRAM設計及良率分析.pdf

1、SRAM是一種重要的存儲器，具有速度快、功耗低、可靠性高等優(yōu)點，被廣泛應用于系統(tǒng)級芯片。隨著CMOS工藝的不斷進步，SRAM的性能不斷提高的同時，其生產(chǎn)成本也在不斷下降。然而，當工藝尺寸降低到100nm以后，工藝參數(shù)的隨機變化引起的MOS管閾值電壓波動，對SRAM穩(wěn)定性的影響越來越嚴重，成為限制SRAM良率提高的重要因素之一。正因為如此，近年來在SRAM，特別是全定制SRAM設計過程中，充分考慮工藝變化的設計思想（variation-a

2、ware design）成為業(yè)界的一大熱點。傳統(tǒng)的PVT分析方法已經(jīng)不能滿足先進工藝下對SRAM高良率的要求，采用蒙特卡洛方法分析工藝參數(shù)變化對SRAM穩(wěn)定性及性能的影響已被廣泛接納。
　　本文首先分析了CMOS工藝以及工藝參數(shù)變化對SRAM穩(wěn)定性的影響。隨之，鑒于高密度的SRAM對存儲單元失效率的嚴格要求，探討了蒙特卡羅分析方法存在的收斂速度慢、仿真時間長等問題。為解決這些題，本文基于混合重要性采樣算法，實現(xiàn)了一種快速蒙特卡羅方