基于溫度的DRAM刷新時(shí)鐘產(chǎn)生電路設(shè)計(jì).pdf

1、隨著集成電路和微電子技術(shù)的迅速發(fā)展，高性能處理器對(duì)嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)提出了更高的要求，高的記憶密度、低功耗、高速度、低成本是今后存儲(chǔ)器的發(fā)展方向，如何提高存儲(chǔ)器的集成度，降低刷新功耗仍然是目前研究的熱點(diǎn)。
　　本論文針對(duì)上述問(wèn)題，提出了一種真正意義上的基于溫度的存儲(chǔ)器自適應(yīng)刷新方案。論文針對(duì)傳統(tǒng)存儲(chǔ)器刷新電路的不足，指出設(shè)計(jì)具有溫度自適應(yīng)刷新電路的必要性。以2T核心存儲(chǔ)單元為對(duì)象，針對(duì)溫度升高，漏電流增大，信息保持時(shí)間縮短的特點(diǎn)，結(jié)合

2、現(xiàn)有基于溫度傳感器刷新的特點(diǎn)，充分考慮面積、功耗、工藝等性能之間的各種約束，緊緊圍繞“溫度-電壓-刷新頻率”之間的關(guān)系，提出了在存儲(chǔ)陣列中加入與溫度相關(guān)的PTAT冗余單元作為溫度傳感監(jiān)測(cè)單元，研究了具有線性度好、占用面積小、與MOS工藝兼容、實(shí)時(shí)性強(qiáng)的溫度監(jiān)測(cè)傳感電路。
　　本著振蕩源的頻率要具有隨溫度變化的要求，詳細(xì)分析了改變環(huán)形壓控振蕩器頻率的方法，選擇了電流饑餓型環(huán)形壓控振蕩器電路，以溫度監(jiān)測(cè)傳感電路的輸出電壓作為控制電壓，