重?fù)缴楣柚辛纂s質(zhì)的SIMS定量測試方法研究.pdf

1、集成電路和各種半導(dǎo)體器件制造中所用的材料，目前主要是硅、鍺和砷化鎵等單晶體，其中又以硅為最多。因此，對于硅材料性質(zhì)的深入研究就顯得尤為重要。本文對硅單晶的生長、摻雜機(jī)理進(jìn)行了詳細(xì)的描述，研究了單晶硅中磷雜質(zhì)的分布規(guī)律，及其對器件性能的影響。
　　 在本次研究中，我們還使用SIMS(二次離子質(zhì)譜儀)對重?fù)缴楣柚辛纂s質(zhì)含量進(jìn)行檢測。利用SIMS對重?fù)缴楣杈w中痕量雜質(zhì)磷的定量測量進(jìn)行了系統(tǒng)的研究，重?fù)缴楣杈w中磷的檢測限達(dá)到5×10

2、13cm-3。實驗結(jié)果表明，樣品的前期處理工藝對檢測結(jié)果產(chǎn)生一定的影響。不同表面化學(xué)處理工藝獲得的樣品，其表面粗糙度明顯不同，并最終影響樣品的測試時間和測試精度。同時，儀器的超高真空度可使測試背底和檢測限大大降低，很好地滿足了不同純度硅晶體中痕量雜質(zhì)磷的定量測量需要。
　　 采用SIMS測試方法，獲得了區(qū)熔硅、直拉非摻單晶硅、重?fù)缴閱尉Ч?、半?dǎo)體級多晶硅和太陽能級多晶硅中痕量雜質(zhì)磷的定量測量結(jié)果，并與其它測量方法進(jìn)行了比對。從中