嵌入式SRAM簇內(nèi)建自測試結(jié)構(gòu)及自動生成研究.pdf

1、分類號密級UDC編號桂林電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文題目嵌入式嵌入式SRAMSRAM簇內(nèi)建自測試內(nèi)建自測試結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)及自動生自動生成研究研究（英文）（英文）StudyontheAutStudyontheAutomaticGenerationomaticGenerationoftheoftheBISBISTArchitecturefESRAMArchitecturefESRAMClustersClusters研究生姓名:湯敏指導(dǎo)教師姓名、職務(wù)指

2、導(dǎo)教師姓名、職務(wù):顏學(xué)龍顏學(xué)龍副教授副教授申請學(xué)位門類:工學(xué)碩士工學(xué)碩士學(xué)科、?？?、專業(yè):測試計量技術(shù)及儀器測試計量技術(shù)及儀器提交論文日期:20062006年4月論文答辯日期:20062006年6月年月日摘要摘要隨著SOC（SystemOnaChip，片上系統(tǒng)）技術(shù)的迅速發(fā)展，越來越多的ESRAM（EmbeddedSRAM，嵌入式靜態(tài)隨機存儲器）內(nèi)核被集成到芯片中。這些ESRAM內(nèi)核的端口數(shù)量、地址寬度、數(shù)據(jù)寬度、工作頻率以及讀寫控制方

3、式往往都不相同，并且它們通常分散在芯片的各個位置。在對分散的ESRAM簇進(jìn)行測試時，每個ESRAM內(nèi)核都專用BIST（BuiltInSelfTest，內(nèi)建自測試）結(jié)構(gòu)的測試方案存在硬件開銷大、測試調(diào)度復(fù)雜等缺點。March測試算法由于其算法復(fù)雜度低、故障覆蓋率高而成為當(dāng)前存儲器測試的常用算法。本文在詳細(xì)研究多端口ESRAM故障模型、March測試算法和ESRAM簇不同組合的基礎(chǔ)上，討論了能夠提高測試效率的測試調(diào)度方案，設(shè)計了一種共享控制

4、器的ESRAM簇BIST結(jié)構(gòu)。這種BIST結(jié)構(gòu)能夠?qū)ι鲜霾煌愋偷腅SRAM簇進(jìn)行有效的測試和診斷。實驗數(shù)據(jù)表明該BIST結(jié)構(gòu)與專用BIST結(jié)構(gòu)相比硬件開銷明顯降低。根據(jù)這種ESRAM簇BIST結(jié)構(gòu)，設(shè)計了一個ESRAM簇BIST自動生成系統(tǒng)。該自動生成系統(tǒng)可以根據(jù)用戶定義的ESRAM簇和March測試算法，自動編譯生成其所需的BIST項目。驗證結(jié)果表明：這種ESRAM簇BIST自動生成系統(tǒng)基本達(dá)到實用化的程度，對國內(nèi)存儲器DFT（De