2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、如今,半導(dǎo)體集成技術(shù)已經(jīng)在最新的電子設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用,其中,嵌入式存儲器在芯片中占有絕對地位。嵌入式存儲器占芯片的面積比例越來越大,而且對于芯片性能的影響也越來越突出,這成為芯片發(fā)展的一個顯著特點。然而,由于其結(jié)構(gòu)密度大并且工藝復(fù)雜程度高,所以在晶圓測試過程中會發(fā)現(xiàn)很多芯片未通過測試,其主要原因就是芯片中的嵌入式存儲器發(fā)生了故障,從而導(dǎo)致整個晶圓的良率都比較低,此現(xiàn)象成為影響芯片良率的一個至關(guān)重要的因素。在測試中,測試成本也是一個關(guān)

2、鍵的因素,減少測試成本的目的就是幫助降低芯片的生產(chǎn)成本。甚至在優(yōu)化的條件下,測試成本有時也能占到芯片總體成本的40%左右。為了改善整個晶圓的良率、提高嵌入式存儲器的可靠度以及控制嵌入式存儲器的測試成本,在測試過程中對存在故障的嵌入式存儲器進行有效的修復(fù)就顯得非常重要而且具有很大的市場應(yīng)用價值,因此值得深入研究。
  首先,論文從SoC中嵌入式SRAM存儲器的測試發(fā)展歷程出發(fā),對可測性設(shè)計中的存儲器內(nèi)建自測試(MBIST)的電路結(jié)構(gòu)

3、和運行原理作了深入的研究。分析了嵌入式SRAM存儲器測試的三種方法的特點,重點研究了嵌入式SRAM存儲器的內(nèi)建自測試方法并且分析了嵌入式SRAM存儲器測試中常見的故障類型和測試算法。內(nèi)建自測試方法不僅很好的解決了嵌入式SRAM存儲器的測試問題,而且大大提高了測試效率,減少了測試時間和測試成本。在闡述嵌入式SRAM存儲器內(nèi)建自測試的基礎(chǔ)上,對于發(fā)現(xiàn)的故障,引入了傳統(tǒng)修復(fù)技術(shù)。針對于傳統(tǒng)修復(fù)技術(shù)耗費過多芯片面積的問題,提出了傳統(tǒng)修復(fù)技術(shù)的優(yōu)

4、化方法,并且對于具體的優(yōu)化過程做了深入分析,重點探究了優(yōu)化后的全局冗余修復(fù)技術(shù)的基本結(jié)構(gòu)以及實現(xiàn)過程。
  此外,我們在實際的ATE(自動測試機)測試平臺中搭建了整體的測試流程,測試程序經(jīng)過調(diào)試后,進行晶圓的在線測試。通過分析和總結(jié)測試結(jié)果可以發(fā)現(xiàn),經(jīng)過嵌入式SRAM存儲器的內(nèi)建自測試和冗余修復(fù),將良率提高3%~4%,減少了芯片的損失,達到了預(yù)期的目標,同時也驗證了整個測試流程和解決方案的可行性以及正確性。
  最后,我們將

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